[发明专利]LED芯片及其制备方法、芯片晶圆、Micro-LED显示装置

权利要求书

1.一种LED芯片，其特征在于，包括依次层叠设置的第一电极、第一半导体图案、发光图案、第二半导体图案以及第二电极；所述第一电极与所述第一半导体图案接触，所述第二电极与所述第二半导体图案接触，所述第二电极为透明电极；

所述第一半导体图案在所述发光图案上的正投影的边界与所述发光图案的边界重叠；所述第二半导体图案在所述发光图案上的正投影的边界位于所述发光图案的边界以内；所述第一半导体图案、所述第二半导体图案以及所述发光图案沿所述LED芯片的厚度方向具有重叠区域；

其中，所述第一半导体图案为n型半导体，所述第二半导体图案为p型半导体；或者，所述第一半导体图案为p型半导体，所述第二半导体图案为n型半导体；

所述LED芯片还包括设置在所述第二半导体图案上的黑矩阵图案，且所述第二半导体图案在所述黑矩阵图案上的正投影位于所述黑矩阵图案的镂空区域内。

2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第二半导体图案在所述发光图案上的正投影的边界与靠近该边界的所述发光图案的边界沿第一方向的距离为所述第二半导体图案沿所述第一方向的长度的0.5倍～3倍。

3.根据权利要求1-2任一项所述的LED芯片，其特征在于，所述第一电极为反射电极。

4.一种芯片晶圆，其特征在于，包括衬底以及设置在所述衬底上的多个如权利要求1-3任一项所述的LED芯片；

第一半导体图案与所述衬底接触，第一电极穿过所述衬底上的过孔与所述第一半导体图案接触。

5.一种Micro-LED显示装置，其特征在于，包括电路基板以及设置在所述电路基板上的多个如权利要求1-3任一项所述的LED芯片。

6.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成多个层叠设置的第一半导体图案、发光图案和第二半导体图案；所述第一半导体图案在所述发光图案上的正投影的边界与所述发光图案的边界重叠；所述第二半导体图案在所述发光图案上的正投影的边界位于所述发光图案的边界以内；所述第一半导体图案为n型半导体，所述第二半导体图案为p型半导体；或者，所述第一半导体图案为p型半导体，所述第二半导体图案为n型半导体；

在每个所述第二半导体图案上形成第二电极；所述第二电极与所述第二半导体图案接触；所述第二电极为透明电极；

在每个所述第一半导体图案远离所述发光图案的一侧形成第一电极，所述第一电极与所述第一半导体图案接触，并去除所述衬底，以形成多个LED芯片；

在形成所述第二半导体图案之后，去除所述衬底之前，所述LED芯片的制备方法还包括：

在所述第二半导体图案上形成黑矩阵图案；所述第二半导体图案在所述衬底上的正投影位于所述黑矩阵图案的镂空区域在所述衬底上的正投影内。

7.根据权利要求6所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述在每个所述第一半导体图案远离所述发光图案的一侧形成第一电极，所述第一电极与所述第一半导体图案接触，并去除所述衬底，以形成多个LED芯片，包括：

在所述衬底上形成多个过孔，以露出每个所述第一半导体图案；

在每个所述过孔处形成所述第一电极，所述第一电极穿过所述衬底上的过孔与所述第一半导体图案接触；

去除所述衬底，以形成多个所述LED芯片。

8.根据权利要求6所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述在衬底上形成多个层叠设置的第一半导体图案、发光图案和第二半导体图案，包括：

在所述衬底上依次形成第一半导体层、发光层以及第二半导体层；

对所述第二半导体层进行构图形成多个所述第二半导体图案；

对所述第一半导体层和所述发光层同时进行构图形成多个所述发光图案和多个所述第一半导体图案；所述第二半导体图案在所述衬底上的正投影的边界位于所述发光图案在所述衬底上的正投影的边界以内。