[发明专利]一种非易失性存储器及其编程方法在审
| 申请号： | 201910450322.9 | 申请日： | 2019-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN110164498A | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 王明 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/34;G11C16/04 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种非易失性存储器及其编程方法。该非易失性存储器包括存储单元阵列和控制器。存储单元阵列包括多个存储单元。控制器配置为：对所述多个存储单元施加第一验证信号，且根据所述多个存储单元的阈值电压分布将所述多个存储单元划分为多个子集，其中所述阈值电压分布包括第一区域和第二区域，所述多个存储单元包括位于所述第一区域的第一子集和位于所述第二区域的第二子集；以及对所述多个存储单元的第一子集施加第一编程信号，且对所述多个存储单元的第二子集进行编程抑制，使所述第一子集的至少一部分分布到所述第二区域。 | ||
| 搜索关键词： | 存储单元 子集 非易失性存储器 第二区域 编程 存储单元阵列 阈值电压分布 第一区域 施加 控制器配置 编程信号 验证信号 控制器 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器，包括：存储单元阵列，包括多个存储单元；控制器，配置为：对所述多个存储单元施加第一验证信号，且根据所述多个存储单元的阈值电压分布将所述多个存储单元划分为多个子集，其中所述阈值电压分布包括第一区域和第二区域，所述多个存储单元包括位于所述第一区域的第一子集和位于所述第二区域的第二子集；以及对所述多个存储单元的第一子集施加第一编程信号，且对所述多个存储单元的第二子集进行编程抑制，使所述第一子集的至少一部分分布到所述第二区域。
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