[发明专利]一种非易失性存储器及其编程方法在审
| 申请号： | 201910450322.9 | 申请日： | 2019-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN110164498A | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 王明 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/34;G11C16/04 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储单元 子集 非易失性存储器 第二区域 编程 存储单元阵列 阈值电压分布 第一区域 施加 控制器配置 编程信号 验证信号 控制器 | ||
1.一种非易失性存储器，包括：
存储单元阵列，包括多个存储单元；
控制器，配置为：
对所述多个存储单元施加第一验证信号，且根据所述多个存储单元的阈值电压分布将所述多个存储单元划分为多个子集，其中所述阈值电压分布包括第一区域和第二区域，所述多个存储单元包括位于所述第一区域的第一子集和位于所述第二区域的第二子集；以及
对所述多个存储单元的第一子集施加第一编程信号，且对所述多个存储单元的第二子集进行编程抑制，使所述第一子集的至少一部分分布到所述第二区域。
2.如权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，所述控制器还配置为：
对所述多个存储单元施加第二验证信号，且根据所述多个存储单元在所述第二区域的阈值电压分布将所述多个存储单元划分为多个子集，其中所述第二区域的阈值电压分布包括第三区域和第四区域，所述多个存储单元包括位于所述第三区域的第三子集和位于所述第四区域的第四子集；以及
对所述多个存储单元的第三子集施加第二编程信号，且对所述多个存储单元的第四子集进行编程抑制，使所述第三子集的至少一部分分布到所述第四区域。
3.如权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，所述多个存储单元具有多个编程态，所述控制器配置为在所述多个存储单元的第一个编程态编程验证之前施加所述第一验证信号和第一编程信号。
4.如权利要求2所述的非易失性存储器，其特征在于，所述多个存储单元具有多个编程态，所述控制器配置为在所述多个存储单元的第一个编程态编程验证之前施加所述第二验证信号和第二编程信号。
5.如权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，所述第一区域和第二区域关于所述阈值电压分布的对称轴对称分布。
6.如权利要求2所述的非易失性存储器，其特征在于，所述第三区域和第四区域关于所述第二区域的阈值电压分布的对称轴对称分布。
7.一种非易失性存储器的编程方法，所述非易失性存储器包括存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元，所述方法包括以下步骤：
对所述多个存储单元施加第一验证信号，且根据所述多个存储单元的阈值电压分布将所述多个存储单元划分为多个子集，其中所述阈值电压分布包括第一区域和第二区域，所述多个存储单元包括位于所述第一区域的第一子集和位于所述第二区域的第二子集；以及
对所述多个存储单元的第一子集施加第一编程信号，且对所述多个存储单元的第二子集进行编程抑制，使所述第一子集的至少一部分分布到所述第二区域。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括：
对所述多个存储单元施加第二验证信号，且根据所述多个存储单元在所述第二区域的阈值电压分布将所述多个存储单元划分为多个子集，其中所述第二区域的阈值电压分布包括第三区域和第四区域，所述多个存储单元包括位于所述第三区域的第三子集和位于所述第四区域的第四子集；以及
对所述多个存储单元的第三子集施加第二编程信号，且对所述多个存储单元的第四子集进行编程抑制，使所述第三子集的至少一部分分布到所述第四区域。
9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述多个存储单元具有多个编程态，其中在所述多个存储单元的第一个编程态编程验证之前施加所述第一编程信号。
10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述多个存储单元具有多个编程态，其中在所述多个存储单元的第一个编程态编程验证之前施加所述第二编程信号。
11.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一区域和第二区域关于所述阈值电压分布的对称轴对称分布。
12.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第三区域和第四区域关于所述第二区域的阈值电压分布的对称轴对称分布。
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