[发明专利]存储器元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201910448466.0 | 申请日： | 2019-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN111564449B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 赖二琨;龙翔澜 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B43/40 | 分类号： | H10B43/40;H10B43/27 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器元件及其制作方法，该存储器元件可以配置来作为立体NAND快闪存储器，包括多个导电条带堆叠结构。这些导电条带堆叠结构包括配置来作为字线的多个中间阶层导电条带，以及配置来作为串列选择线的上方阶层导电条带；多个第一图案化导体设置在多个导电条带堆叠结构上方；多个链接单元，将多个中间阶层导电条带中的多个对应导电条带连接到多个第一图案化导体中的多个第一图案化导体。多个链接单元中的多个链接单元包括多个开关，可以响应上方阶层导电条带中的多个导电条中的信号。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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