[发明专利]存储器元件及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201910448466.0 申请日: 2019-05-27
公开(公告)号: CN111564449B 公开(公告)日: 2023-04-07
发明(设计)人: 赖二琨;龙翔澜 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: H10B43/40 分类号: H10B43/40;H10B43/27
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储器 元件 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种存储器元件,包括:

多个导电条带堆叠结构,每一该多个导电条带堆叠结构包括多个中间阶层导电条带,配置来作为多条字线,一上方阶层导电条带,配置来作为至少一串列选择线;

多个第一图案化导体,位于该多个导电条带堆叠结构上方;以及

多个链接单元,该多个链接单元中的多个链接单元包括多个开关,以响应位于该上方阶层导电条带中的多个信号,并将位于该多个中间阶层导电条带中多个导电条带,连接到该多个第一图案化导体中的多个第一图案化导体。

2.根据权利要求1所述的存储器元件,其中该多个链接单元中的该多个开关是多个垂直通道晶体管。

3.根据权利要求2所述的存储器元件,其中该多个垂直通道晶体管具有多个N型掺杂通道。

4.根据权利要求1所述的存储器元件,其中该上方阶层导电条带中的该多个导电条带与该多个链接单元中的该多个开关彼此交叉。

5.根据权利要求1所述的存储器元件,其中该多个中间阶层导电条带中的该多个导电条带,在该存储器元件的一阶梯结构区中提供多个落着区。

6.根据权利要求5所述的存储器元件,其中该多个链接单元中的该多个链接单元,还包括位于该多个开关下方的多个第一导体和位于该多个开关上方的多个第二导体;该多个第一导体将该阶梯结构区中的该多个落着区连接到该多个开关,该多个第二导体将该多个开关连接到该多个第一图案化导体。

7.根据权利要求1所述的存储器元件,其中每一该多个导电条带堆叠结构更包括一底部阶层导电条带,配置来作为至少一接地选择线;且该多个链接单元中的该多个链接单元将该底部阶层导电条带中的多个导电条带连接到位于该多个导电条带堆叠结构上方的多个第二图案化导体。

8.根据权利要求1所述的存储器元件,更包括:

多个垂直通道结构,与该多个导电条带堆叠结构正交排列,该多个垂直通道结构中的每一者,包括多个存储单元,位于该多个导电条带堆叠结构的多个侧表面与该多个垂直通道结构的多个交叉点上的多个界面区上;以及

多个位线导体,位于该上方阶层导电条带上方的一阶层中,该多个垂直通道结构中的每一者,位于该多个位线导体之一的下方;

其中,该上方阶层导电条带中的每一个导电条带与该多个垂直通道结构中的多个彼此不同的垂直通道结构子集交叉。

9.根据权利要求1所述的存储器元件,其中该多个第一图案化导体连接到一字线译码器。

10.一种存储器元件的制作方法,包括:

形成多个导电条带堆叠结构,使每一该多个导电条带堆叠结构包括多个中间阶层导电条带,配置来作为多条字线,一上方阶层导电条带,配置来作为至少一串列选择线;

形成多个第一图案化导体,位于该多个导电条带堆叠结构上方;以及

形成多个链接单元,使该多个链接单元中的多个链接单元,将位于该多个中间阶层导电条带中的多个导电条带,连接到该多个第一图案化导体中的多个第一图案化导体,且包括多个开关,以响应位于该上方阶层导电条带中多个导电条带中的多个信号。

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