[发明专利]包括穿过栅极堆叠结构的贯穿区域的三维半导体存储器件在审
| 申请号： | 201910445216.1 | 申请日： | 2019-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN110634872A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 金光洙;金是完;金俊亨;吴京泽;崔凤贤 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521;H01L27/11539;H01L27/11556;H01L27/11568;H01L27/11573;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 11330 北京市立方律师事务所 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种包括穿过栅极堆叠结构的贯穿区域的三维半导体存储器件，所述三维半导体存储器件包括：基底；栅极堆叠结构，所述栅极堆叠结构设置在所述基底上，并且包括在与所述基底的顶表面基本垂直的方向上堆叠的栅电极；贯穿区域，所述贯穿区域穿过所述栅极堆叠结构并被所述栅极堆叠结构围绕；以及垂直沟道结构，所述垂直沟道结构穿过所述栅极堆叠结构。所述栅电极中的最下面的栅电极彼此间隔开，并且至少一个所述最下面的栅电极的一部分具有朝向所述贯穿区域弯曲的形状。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极堆叠结构 栅电极 基底 三维半导体存储器 垂直沟道结构 贯穿 穿过 区域穿过 垂直的 顶表面 堆叠 | ||
【主权项】：
1.一种三维半导体存储器件，所述三维半导体存储器件包括：/n基底；/n栅极堆叠结构，所述栅极堆叠结构设置在所述基底上，并且包括在与所述基底的顶表面基本垂直的方向上堆叠并且彼此间隔开的栅电极；/n贯穿区域，所述贯穿区域穿过所述栅极堆叠结构并被所述栅极堆叠结构围绕；以及/n垂直沟道结构，所述垂直沟道结构穿过所述栅极堆叠结构，/n其中，所述栅电极中的最下面的栅电极在与所述基底的所述顶表面平行的第一方向上彼此间隔开，并且至少一个所述最下面的栅电极的一部分具有朝向所述贯穿区域弯曲的形状。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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