[发明专利]用于处理衬底的装置和方法有效
| 申请号： | 201910444327.0 | 申请日： | 2019-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN110534457B | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 田明娥;李茂贤;李瑟 | 申请（专利权）人： | 细美事有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人： | 杨黎峰;钟锦舜 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文中描述的发明构思的实施例涉及用于去除从被处理的对象暴露于外面的粘合剂的装置和方法。一种用于去除从被处理的对象的边缘区域暴露于外面的粘合剂的装置，其中，所述对象具有通过粘合剂粘合在一起的图案化衬底和支撑板，覆盖液喷嘴将覆盖液分配至对象顶表面中除暴露区域之外的覆盖区域上，并且控制器控制覆盖液分配构件以调节覆盖液的流速，从而使粘合剂的去除速率保持恒定。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 处理 衬底 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种装置，其用于去除从被处理对象的边缘区域暴露于外面的粘合剂，其中，所述对象具有通过所述粘合剂粘合在一起的图案化衬底和支撑板，所述装置包括：/n支撑单元，其被配置为支撑和旋转所述对象；/n液体分配单元，其被配置为将液体分配到被支撑在所述支撑单元上的所述对象上，以去除所述对象上所暴露的粘合剂；以及/n控制器，其被配置为控制所述液体分配单元，/n其中，所述支撑板与所述衬底相比具有更大的直径，且暴露有所述粘合剂的暴露区域包括所述衬底的侧端和所述支撑板的侧端之间的区域，/n其中，所述液体分配单元包括：/n处理液分配构件，其具有处理液喷嘴，所述处理液喷嘴被配置为将处理液分配到所述暴露区域上；以及/n覆盖液分配构件，其具有覆盖液喷嘴，所述覆盖液喷嘴被配置为分配保护所述衬底免受所述处理液影响的覆盖液，/n其中，所述覆盖液喷嘴将所述覆盖液分配至所述对象的顶表面中除了所述暴露区域之外的覆盖区域上，并且/n其中，所述控制器控制所述覆盖液分配构件以调节所述覆盖液的流速，以使所述粘合剂的去除速率保持恒定。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
