[发明专利]用于处理衬底的装置和方法有效
| 申请号: | 201910444327.0 | 申请日: | 2019-05-27 |
| 公开(公告)号: | CN110534457B | 公开(公告)日: | 2023-10-27 |
| 发明(设计)人: | 田明娥;李茂贤;李瑟 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人: | 杨黎峰;钟锦舜 |
| 地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 处理 衬底 装置 方法 | ||
本文中描述的发明构思的实施例涉及用于去除从被处理的对象暴露于外面的粘合剂的装置和方法。一种用于去除从被处理的对象的边缘区域暴露于外面的粘合剂的装置,其中,所述对象具有通过粘合剂粘合在一起的图案化衬底和支撑板,覆盖液喷嘴将覆盖液分配至对象顶表面中除暴露区域之外的覆盖区域上,并且控制器控制覆盖液分配构件以调节覆盖液的流速,从而使粘合剂的去除速率保持恒定。
技术领域
本文描述的发明构思的实施例涉及用于去除从被处理对象暴露于外面的粘合剂的装置和方法,其中,所述对象具有通过粘合剂粘合在一起的衬底和支撑板。
背景技术
在衬底上执行多种工艺(例如光刻、灰化、蚀刻、离子注入、薄膜沉积、清洁等)以制造半导体器件。
通常,硅通孔(TSV)衬底非常薄并且容易因小的冲击而损坏。由此,如图1所示,衬底Wa在粘合至支撑板Wb的状态下经受多种工艺。在工艺期间,在衬底Wa上形成多种膜层或图案,并且衬底Wa具有预定的厚度。当在衬底Wa上形成图案之后,在分离衬底Wa和支撑板Wb的工艺之前,执行去除从衬底Wa和支撑板Wb之间的空间暴露于外面的粘合剂“a”的去除工艺。
通过将去除液分配到粘合剂“a”暴露的区域上来去除所暴露的粘合剂“a”。
然而,在将去除液分配到粘合剂“a”上的工艺中,去除液可能损坏衬底Wa上的图案。因此,已经提出了一种通过降低去除液的流速和温度来保护衬底的方法,但同时降低了对粘合剂的去除效率。
因此,执行去除工艺所花费的时间增加,并且在衬底Wa和支撑板Wb彼此分离的工艺中衬底Wa和支撑板Wb会被损坏。
此外,在分配去除液的工艺中,部分去除液会溅散,从而对衬底和衬底周围的装置造成损坏。
发明内容
本发明构思的实施例提供了一种用于提高去除粘合剂暴露部分的效率的装置和方法,所述粘合剂将衬底和支撑板粘合在一起。
本发明构思的实施例提供了一种用于在去除粘合剂的工艺中防止对衬底和支撑板的损坏的装置和方法。
根据示例性实施例,一种用于去除从被处理对象的边缘区域暴露于外面的粘合剂的装置,其中,该对象具有通过粘合剂粘合在一起的图案化衬底和支撑板,该装置包括:支撑单元,其支撑和旋转对象;液体分配单元,其将液体分配到被支撑在支撑单元上的对象上,以去除对象上暴露的粘合剂;以及控制器,其控制液体分配单元。支撑板与衬底相比具有更大的直径,且暴露有粘合剂的暴露区域包括衬底的侧端和支撑板的侧端之间的区域。液体分配单元包括:处理液分配构件,其具有处理液喷嘴,该处理液喷嘴将处理液分配到暴露区域上;以及覆盖液分配构件,其具有覆盖液喷嘴,该覆盖液喷嘴分配保护所述衬底免受所述处理液影响的覆盖液。所述覆盖液喷嘴将覆盖液分配至对象顶表面中除了暴露区域之外的覆盖区域上,且控制器控制覆盖液分配构件以调节覆盖液的流速,从而使粘合剂的去除速率保持恒定。
覆盖液喷嘴可以以第一流速或高于所述第一流速的第二流速分配所述覆盖液,且控制器可以控制覆盖液分配构件以该第一流速和第二流速交替地分配覆盖液。覆盖区域可以包括对象的中心区域,暴露区域围绕该覆盖区域。
处理液分配构件还可以包括上部加热器,该上部加热器将处理液加热至高于室温的处理温度,且覆盖液分配构件还可以包括冷却器,该冷却器将覆盖液冷却至低于处理温度的冷却温度。
处理液喷嘴的排出口可以从顶部到底部朝向对象的外侧向下倾斜。
覆盖液可以包括稀释处理液的液体。
液体分配单元还可以包括调节液分配构件,该调节液分配构件将调节液分配至对象的底表面上,该调节液分配构件可以包括:调节液喷嘴,其将调节液分配至支撑板的底表面上;以及下部加热器,其将调节液加热至高于室温的加热温度。控制器控制下部加热器以调节加热温度,从而防止支撑板的温度降低至预定温度或更低。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





