[发明专利]用于处理衬底的装置和方法有效
| 申请号: | 201910444327.0 | 申请日: | 2019-05-27 |
| 公开(公告)号: | CN110534457B | 公开(公告)日: | 2023-10-27 |
| 发明(设计)人: | 田明娥;李茂贤;李瑟 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人: | 杨黎峰;钟锦舜 |
| 地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 处理 衬底 装置 方法 | ||
1.一种装置,其用于去除从被处理对象的边缘区域暴露于外面的粘合剂,其中,所述对象具有通过所述粘合剂粘合在一起的图案化衬底和支撑板,所述装置包括:
支撑单元,其被配置为支撑和旋转所述对象;
液体分配单元,其被配置为将液体分配到被支撑在所述支撑单元上的所述对象上,以去除所述对象上所暴露的粘合剂;以及
控制器,其被配置为控制所述液体分配单元,
其中,所述支撑板与所述衬底相比具有更大的直径,且暴露有所述粘合剂的暴露区域包括所述衬底的侧端和所述支撑板的侧端之间的区域,
其中,所述液体分配单元包括:
处理液分配构件,其具有处理液喷嘴,所述处理液喷嘴被配置为将处理液分配到所述暴露区域上;以及
覆盖液分配构件,其具有覆盖液喷嘴,所述覆盖液喷嘴被配置为分配保护所述衬底免受所述处理液影响的覆盖液,
其中,所述覆盖液喷嘴将所述覆盖液分配至所述对象的顶表面中除了所述暴露区域之外的覆盖区域上,并且
其中,所述控制器控制所述覆盖液分配构件以调节所述覆盖液的流速,以使所述粘合剂的去除速率保持恒定。
2.根据权利要求1所述的装置,其中,所述覆盖液喷嘴以第一流速或高于所述第一流速的第二流速分配所述覆盖液,并且
其中,所述控制器控制覆盖液分配构件以所述第一流速和所述第二流速交替地分配所述覆盖液。
3.根据权利要求2所述的装置,其中,所述覆盖区域包括所述对象的中心区域,并且
其中,所述暴露区域围绕所述覆盖区域。
4.根据权利要求3所述的装置,其中,所述处理液分配构件还包括上部加热器,所述上部加热器被配置为将所述处理液加热至高于室温的处理温度,并且
其中,所述覆盖液分配构件还包括冷却器,所述冷却器被配置为将所述覆盖液冷却至低于所述处理温度的冷却温度。
5.根据权利要求4所述的装置,其中,所述处理液喷嘴的排出口朝向所述对象的外侧向下倾斜。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的装置,其中,所述覆盖液包括稀释所述处理液的液体。
7.根据权利要求6所述的装置,其中,所述液体分配单元还包括调节液分配构件,所述调节液分配构件被配置为将调节液分配至所述对象的底表面上,
其中,所述调节液分配构件包括:
调节液喷嘴,其被配置为将所述调节液分配至所述支撑板的底表面上;以及
下部加热器,其被配置为将所述调节液加热至高于室温的加热温度,并且
其中,所述控制器控制所述下部加热器以调节所述加热温度,从而防止所述支撑板的温度降低至预定温度或更低。
8.根据权利要求7所述的装置,其中,所述控制器控制所述调节液分配构件,以使所述调节液与所述覆盖液相比具有更大的流速。
9.一种用于去除从被处理的对象暴露的粘合剂的方法,其中,所述对象具有通过所述粘合剂粘合在一起的图案化衬底和支撑板,所述方法包括:
在旋转所述对象的同时,通过将处理液分配至暴露有所述粘合剂的暴露区域上来去除粘合剂,其中,所述支撑板与所述衬底相比具有更大的直径,且所述支撑板和所述衬底在具有相同的中心的状态下旋转;
通过将覆盖液分配至所述对象的顶表面中除所述暴露区域之外的覆盖区域上来保护所述衬底免受所述处理液的影响,其中,调节所述覆盖液的流速以使所述粘合剂的去除速率保持恒定。
10.根据权利要求9所述的方法,其中,以第一流速或高于所述第一流速的第二流速分配所述覆盖液,并且
其中,以所述第一流速和所述第二流速交替地分配所述覆盖液。
11.根据权利要求10所述的方法,其中,所述处理液具有高于室温的处理温度,并且
其中,所述覆盖液的冷却温度低于所述处理温度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





