[发明专利]低放射性的高浓度负离子釉层结构、瓷砖及瓷砖制备方法在审
| 申请号： | 201910434152.5 | 申请日： | 2019-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN110041105A | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 祁明;钟保民;徐瑜 | 申请（专利权）人： | 佛山市东鹏陶瓷有限公司;广东东鹏控股股份有限公司;佛山市东鹏陶瓷发展有限公司 |
| 主分类号： | C04B41/89 | 分类号： | C04B41/89;C03C8/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 528031 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了低放射性的高浓度负离子釉层结构、瓷砖及瓷砖制备方法，其中釉层结构包括底釉层和面釉层，按照质量百分比，所述底釉层的原料包含锗石粉3～5％和α‑Al2O3 1～2％，余量为基础底釉层料；按照质量百分比，所述面釉层的原料包含电气石3～6％、六环石粉10～15％、锗石粉9～15％和α‑Al2O3 1～2％，余量为基础面釉层料。底釉层和面釉层中均没有添加可产生α射线的材料，整体的放射性低，诱生出高浓度负离子，达到平均每片具有本釉料结构的0.3m2的瓷砖在0.25m3空间里面能诱生的负离子在4000个/cm3以上。 | ||
| 搜索关键词： | 釉层 瓷砖 底釉层 高浓度负离子 质量百分比 低放射性 锗石粉 制备 和面 基础面釉 六环石粉 电气石 负离子 面釉层 釉料 放射性 射线 | ||
【主权项】：
1.一种低放射性的高浓度负离子釉层结构，包括底釉层和面釉层，其特征在于：按照质量百分比，所述底釉层的原料包含锗石粉3～5％和α‑Al2O3 1～2％，余量为基础底釉层料；按照质量百分比，所述面釉层的原料包含电气石3～6％、六环石粉10～15％、锗石粉9～15％和α‑Al2O3 1～2％，余量为基础面釉层料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佛山市东鹏陶瓷有限公司;广东东鹏控股股份有限公司;佛山市东鹏陶瓷发展有限公司，未经佛山市东鹏陶瓷有限公司;广东东鹏控股股份有限公司;佛山市东鹏陶瓷发展有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910434152.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
