[发明专利]低放射性的高浓度负离子釉层结构、瓷砖及瓷砖制备方法

说明书

本发明公开了低放射性的高浓度负离子釉层结构、瓷砖及瓷砖制备方法，其中釉层结构包括底釉层和面釉层，按照质量百分比，所述底釉层的原料包含锗石粉3～5％和α‑Al₂O₃ 1～2％，余量为基础底釉层料；按照质量百分比，所述面釉层的原料包含电气石3～6％、六环石粉10～15％、锗石粉9～15％和α‑Al₂O₃ 1～2％，余量为基础面釉层料。底釉层和面釉层中均没有添加可产生α射线的材料，整体的放射性低，诱生出高浓度负离子，达到平均每片具有本釉料结构的0.3m²的瓷砖在0.25m³空间里面能诱生的负离子在4000个/cm³以上。

技术领域

本发明涉及建筑陶瓷领域，尤其涉及低放射性的高浓度负离子釉层结构、瓷砖及瓷砖制备方法。

背景技术

随着工业的发展，空气污染越来越严重，空气中含有各种对人体有害的物质，所以空气的质量越来越受到人民的关注；以及人民生活水平的逐步提高，对居住环境的空气的质量要求越来越高。因此建筑材料的环保以及功能养生化越来越受到人们的重视。近年在国内外兴起的负离子室内装修材料制品，比如负离子涂料、负离子板材、负离子瓷砖等，这类材料制品不含有害化学物质，除了具有净化室内空气、祛除甲醛、祛除烟味等功能特点外，还有促进血液循环，使人精力充沛，健康长寿等作用，受到广大消费者的追捧。

现在市场上做的负离子陶瓷砖主要有两种：

一种是像中国专利200410079022.8那样在陶瓷釉料层中引入了锂电气石、镁电气石，纳米TiO₂以及其他稀土复合盐类，经陶瓷辊道窑在温度1080℃～1200℃下烧成，从而获得负离子瓷砖；另外一种是像中国专利201621356426.1那样在陶瓷砖的胚体表面向外依次附着的面釉层、Ce₂O₃层、TiO₂层、CeO₂层和保护层，经陶瓷辊道窑在温度1080℃～1200℃下烧成，从而获得负离子瓷砖。

目前市场上生产的负离子陶瓷砖均通过添加可产生α射线的材料来诱生负离子，存在负离子浓度和放射性高低的控制问题：提高负离子的浓度时，瓷砖的放射性也会增高，为使瓷砖的放射性达标则负离子浓度普遍较低。

发明内容

本发明的一个目的在于提出一种低放射性的高浓度负离子釉层结构，无添加可产生α射线的材料，放射性低，且可诱生出高浓度负离子。

本发明的另一个目的在于提出一种低放射性的高浓度负离子瓷砖，无添加可产生α射线的材料，放射性低，且可诱生出高浓度负离子。

本发明的再一个目的在于提出一种低放射性的高浓度负离子瓷砖制备方法，无添加可产生α射线的材料，放射性低，且可诱生出高浓度负离子。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

一种低放射性的高浓度负离子釉层结构，包括底釉层和面釉层，按照质量百分比，所述底釉层的原料包含锗石粉3～5％和α-Al₂O₃ 1～2％，余量为基础底釉层料；

按照质量百分比，所述面釉层的原料包含电气石3～6％、六环石粉10～15％、锗石粉9～15％和α-Al₂O₃ 1～2％，余量为基础面釉层料。