[发明专利]低放射性的高浓度负离子釉层结构、瓷砖及瓷砖制备方法

权利要求书

1.一种低放射性的高浓度负离子釉层结构，包括底釉层和面釉层，其特征在于：按照质量百分比，所述底釉层的原料包含锗石粉3～5％和α-Al₂O₃ 1～2％，余量为基础底釉层料；

按照质量百分比，所述面釉层的原料包含电气石3～6％、六环石粉10～15％、锗石粉9～15％和α-Al₂O₃ 1～2％，余量为基础面釉层料。

2.根据权利要求1所述的低放射性的高浓度负离子釉层结构，其特征在于：

按照质量百分比，所述基础底釉层料包含煅烧滑石3～5％、钾长石粉25～35％、锂辉石5～8％、氧化铝2～4％、锆英砂20～25％、黏土10～15％、高铝砂8～12％和石英0～5％；

按照质量百分比，所述基础面釉层料包含煅烧滑石3～5％、钾长石粉12～16％、碳酸锂1～2％、氧化铝8～12％、锆英砂20～25％、黏土10～15％、高铝砂8～12％、石英0～5％和氧化锆5～12％。

3.一种低放射性的高浓度负离子瓷砖，其特征在于：包括坯体、底釉层和面釉层，所述底釉层设置于所述坯体和面釉层之间；

所述底釉层为权利要求1或2所述的低放射性的高浓度负离子釉层结构的底釉层；

所述面釉层为权利要求1或2所述的低放射性的高浓度负离子釉层结构的面釉层。

4.根据权利要求3所述的低放射性的高浓度负离子瓷砖的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

制备底釉：按照质量百分比，称取锗石粉3～5％、α-Al₂O₃ 1～2％、煅烧滑石3～5％、钾长石粉25～35％、锂辉石5～8％、氧化铝2～4％、锆英砂20～25％、黏土10～15％、高铝砂8～12％和石英0～5％，混入球磨机中湿法球磨，获得底釉；

制备面釉：按照质量百分比，称取电气石3～6％、六环石粉10～15％、锗石粉9～15％、α-Al₂O₃ 1～2％、煅烧滑石3～5％、钾长石粉12～16％、碳酸锂1～2％、氧化铝8～12％、锆英砂20～25％、黏土10～15％、高铝砂8～12％、石英0～5％和氧化锆5～12％，混入球磨机中湿法球磨，获得面釉；

制备砖坯：采用现有的坯体原料制成砖坯；

施釉：在砖坯的表面先施所述底釉，然后施所述面釉；

入窑烧成制得所述低放射性的高浓度负离子瓷砖。

5.根据权利要求4所述的低放射性的高浓度负离子瓷砖的制备方法，其特征在于：所述底釉的细度为325目筛余0.8～1.2，所述底釉的釉浆比重为1.88～1.99，所述底釉的流速35～40s。

6.根据权利要求4所述的低放射性的高浓度负离子瓷砖的制备方法，其特征在于：所述面釉的细度为325目筛余0.8～1.2，所述面釉的釉浆比重为1.88～1.99，所述面釉的流速35～40s。

7.根据权利要求4所述的低放射性的高浓度负离子瓷砖的制备方法，其特征在于：所述施釉步骤中，所述底釉的施釉方式为淋釉，所述面釉的施釉方式为淋釉或喷釉。

8.根据权利要求4所述的低放射性的高浓度负离子瓷砖的制备方法，其特征在于：所述入窑烧成步骤中，烧成温度为1080℃～1200℃。

9.根据权利要求4所述的低放射性的高浓度负离子瓷砖的制备方法，其特征在于：所述施釉步骤中，在砖坯的表面施所述底釉后，先通过喷墨渗透工艺、喷墨打印、滚筒印花和/或网版印花的方式设置装饰层，再施所述面釉。

10.根据权利要求4所述的低放射性的高浓度负离子瓷砖的制备方法，其特征在于：入窑烧成后还经过磨边步骤和抛光步骤，最后制得所述低放射性的高浓度负离子瓷砖。