[发明专利]封装的半导体器件在审

专利信息
申请号: 201910426938.2 申请日: 2019-05-22
公开(公告)号: CN110534498A 公开(公告)日: 2019-12-03
发明(设计)人: 唐逸麒;R·M·穆卢干;M·R·库卡尼 申请(专利权)人: 德克萨斯仪器股份有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/495;H01L21/60
代理公司: 11245 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 赵志刚;赵蓉民<国际申请>=<国际公布>
地址: 美国德*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 本申请公开封装的半导体器件。封装的半导体器件(300)包括塑封的互连衬底,塑封的互连衬底具有信号层(221)和底部金属层(223),信号层包括在具有通孔的介电层(222)上的第一和第二通道,底部金属层用于提供接地回波路径。信号层包括接触焊盘,第一和第二通道的迹线包括变窄的迹线区域(221s),且底部金属层包括含有接地切割区域(223a)的图案化层。DC阻隔电容器(C1、C2、C3、C4)串联在第一和第二通道的迹线内,用于提供AC耦合,DC阻隔电容器在一个接地切割中的上方具有一个极板。集成电路(IC)(210)包括经耦合以接收来自DC阻隔电容器的输出的第一和第二差分输入通道,其中其上的凸块阵列(218)倒装芯片安装到接触焊盘以提供第一和第二差分输出信号。
搜索关键词: 电容器 底部金属层 接地 信号层 迹线 阻隔 半导体器件 接触焊盘 互连 衬底 塑封 封装 差分输出信号 倒装芯片安装 回波路径 切割区域 输入通道 凸块阵列 图案化层 耦合 介电层 变窄 极板 通孔 集成电路 串联 切割 输出 申请
【主权项】:
1.一种封装的半导体器件,其包括:/n多层塑封的互连衬底即MIS,其具有信号层和底部金属层,所述信号层包括用于在具有通孔的介电层上的第一通道的第一迹线和第二迹线以及用于在具有通孔的所述介电层上的第二通道的第一迹线和第二迹线,并且所述介电层下面的所述底部金属层用于提供接地回波路径,所述信号层包括接触焊盘,其中所述第一通道和所述第二通道的所述第一迹线和所述第二迹线包括变窄的迹线区域,以及所述底部金属层包括含有多个接地切割区域的图案化层;/n串联在所述第一通道的所述第一迹线和所述第二迹线内的第一直流阻隔电容器即DC阻隔电容器和第二DC阻隔电容器,用于提供交流耦合即AC耦合,所述第一DC阻隔电容器和所述第二DC阻隔电容器各自在所述接地切割中的一个上具有一个极板;/n串联在所述第二通道的所述第一迹线和所述第二迹线内的第三DC阻隔电容器和第四DC阻隔电容器,用于提供AC耦合,所述第三DC阻隔电容器和所述第四DC阻隔电容器各自在所述接地切割中的一个上方具有一个极板,并且/n集成电路即IC,其包括:第一差分输入通道,其经耦合以接收来自所述第一DC阻隔电容器和所述第二DC阻隔电容器的输出;以及至少第二差分输入通道,其经耦合以接收所述第三DC阻隔电容器和所述第四DC阻隔电容器的输出,其中其上的凸块阵列倒装芯片安装到所述接触焊盘,以提供第一差分输出信号和第二差分输出信号。/n
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