[发明专利]一种提高原子团对抛精度的方法

摘要

本申请公开了一种提高原子团对抛精度的方法，适用于冷原子干涉仪，冷原子干涉仪中包括磁光阱和感光相机，包括：步骤1，在磁光阱的冷却光打开且梯度磁场关闭时，利用感光相机获取磁光阱的背景图像；步骤2，利用感光相机，逐次在冷却光和梯度磁场打开、并陷俘冷原子团后，获取磁光阱的多张目标图像；步骤3，根据背景图像和多张目标图像，采用差分算法，计算对于每张目标图像的、冷原子团的囚禁位置；步骤4，计算多张目标图像中囚禁位置的坐标抖动误差，并根据坐标抖动误差，计算磁光阱的第一调整系数。通过本申请中的技术方案，有利于提高确定冷原子团囚禁位置的准确性，优化冷原子干涉仪的干涉效果和参数调整的准确性。

主权项

1.一种提高原子团对抛精度的方法，其特征在于，适用于冷原子干涉仪，所述冷原子干涉仪中包括磁光阱和感光相机，所述感光相机的摄像区域正对于所述磁光阱，该方法包括：步骤1，在所述磁光阱的冷却光打开且梯度磁场关闭时，利用所述感光相机获取所述磁光阱的背景图像；步骤2，利用所述感光相机，逐次在所述冷却光和所述梯度磁场打开、并陷俘冷原子团后，获取所述磁光阱的多张目标图像；步骤3，根据所述背景图像和多张所述目标图像，采用差分算法，计算对于每张所述目标图像的、冷原子团的囚禁位置，其中，所述囚禁位置为所述磁光阱囚禁所述冷原子团的位置；步骤4，计算多张所述目标图像中所述囚禁位置的坐标抖动误差，并根据所述坐标抖动误差，计算所述磁光阱的第一调整系数，所述第一调整系数包括第一光路系数和第一磁场系数，其中，所述第一调整系数f(·)的计算公式为：σ_pos(u)＝f(P(u)，A(u)，F(u)，C(u)，G(u))，u＝1，2，3…U式中，σ_pos(u)为第u张所述目标图像对应的所述坐标抖动误差，P(u)为第u张所述目标图像对应的所述冷却光的光强，A(u)为相应的所述冷原子团的抛射角度，F(u)为相应的冷却光频率，C(u)为相应的磁场电流强度，G(u)为相应的磁场梯度。