[发明专利]闪存存储器的制备方法有效
| 申请号： | 201910419501.6 | 申请日： | 2019-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN111968984B | 公开（公告）日： | 2023-07-11 |
| 发明（设计）人： | 马凤麟;于绍欣 | 申请（专利权）人： | 无锡华润微电子有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/35 | 分类号： | H10B41/35;H10B41/41;H10B41/42 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 熊文杰;邓云鹏 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种闪存存储器的制备方法，包括以下步骤：提供半导体衬底，半导体衬底上定义有存储区，存储区包括若干存储单元区、若干源接触孔区以及若干浅沟槽区；在半导体衬底上依次沉积第一介质层和第一多晶硅层，刻蚀第一多晶硅层，以去除部分浅沟槽区上方的第一多晶硅层，并保留覆盖源接触孔区上方的第一多晶硅层；依次沉积第二介质层和第二多晶硅层，刻蚀第二多晶硅层、第二介质层和第一多晶硅层，以在存储单元区形成存储单元结构，并去除源接触孔区上方的第一多晶硅层、第二介质层和第二多晶硅层。由于源接触孔区上方的第一多晶硅层被保留覆盖，使得该区域内不会形成凹坑，有效解决了因凹坑导致存储单元源区与接触塞之间接触不良的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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