[发明专利]闪存存储器的制备方法

权利要求书

1.一种闪存存储器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上定义有存储区，所述存储区包括若干存储单元区、若干源接触孔区以及若干浅沟槽区；

在所述半导体衬底上依次沉积第一介质层和第一多晶硅层，刻蚀所述第一多晶硅层，以去除部分所述浅沟槽区上方的第一多晶硅层，并保留覆盖所述源接触孔区上方的第一多晶硅层；

依次沉积第二介质层和第二多晶硅层，刻蚀所述第二多晶硅层、所述第二介质层和所述第一多晶硅层，以在所述存储单元区形成存储单元结构，并去除所述源接触孔区上方的第一多晶硅层、第二介质层和第二多晶硅层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述浅沟槽区包括选择管栅接触孔区，所述去除部分所述浅沟槽区上方的第一多晶硅层，包括：

去除所述选择管栅接触孔区外所述浅沟槽区上方的第一多晶硅层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述刻蚀所述第二多晶硅层、所述第二介质层和所述第一多晶硅层，包括：

先只刻蚀所述第二多晶硅层，以去除所述选择管栅接触孔区上方的第二多晶硅层；

再同时刻蚀所述第二多晶硅层、所述第二介质层和所述第一多晶硅层，以在所述存储单元区形成存储单元结构，并去除所述源接触孔区上方的第一多晶硅层、第二介质层和第二多晶硅层。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于，所述存储单元结构包括相连的选择管和控制管，所述选择管的栅和所述控制管的栅均包括依次层叠的所述第一多晶硅层、所述第二介质层和所述第二多晶硅层，所述选择管的源、漏以及所述控制管的源、漏上方的第一多晶硅层、第二介质层和第二多晶硅层均去除，且所述选择管的漏作为所述存储单元结构的第一引出端，所述选择管的源和所述控制管的漏直接相连，所述控制管的源作为所述存储单元结构的第二引出端。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的方法还包括：在所述源接触孔区对应的有源区内形成源接触孔，且所述有源区跨出所述源接触孔的距离取值范围为0.01μm～0.1μm。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述源接触孔区上方的第一多晶硅层跨出所述有源区的距离取值范围为0.01μm～0.1μm。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述源接触孔为方形，所述源接触孔的长度和宽度的取值范围为0.15μm～0.25μm。

8.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述存储单元结构形成后，相邻两个第一多晶硅层之间的最小间距取值范围为0.15μm～0.25μm。

9.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述存储单元结构形成后，所述第一多晶硅层的最小宽度取值范围为0.15μm～0.25μm。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一介质层包括第一氧化层，所述第二介质层包括依次层叠的第二氧化层、氮化层和第三氧化层。