[发明专利]闪存存储器的制备方法

说明书

本发明涉及一种闪存存储器的制备方法，包括以下步骤：提供半导体衬底，半导体衬底上定义有存储区，存储区包括若干存储单元区、若干源接触孔区以及若干浅沟槽区；在半导体衬底上依次沉积第一介质层和第一多晶硅层，刻蚀第一多晶硅层，以去除部分浅沟槽区上方的第一多晶硅层，并保留覆盖源接触孔区上方的第一多晶硅层；依次沉积第二介质层和第二多晶硅层，刻蚀第二多晶硅层、第二介质层和第一多晶硅层，以在存储单元区形成存储单元结构，并去除源接触孔区上方的第一多晶硅层、第二介质层和第二多晶硅层。由于源接触孔区上方的第一多晶硅层被保留覆盖，使得该区域内不会形成凹坑，有效解决了因凹坑导致存储单元源区与接触塞之间接触不良的问题。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种闪存存储器的制备方法。

背景技术

随着社会的发展与进步，半导体器件的应用越来越广泛，存储器在半导体器件中占有的市场份额也与日俱增，但是以嵌入式闪存(E-flash)为代表的嵌入式非易失存储器件，因存在制造工艺复杂、造价昂贵以及良率难以提升等问题，限制着自身的发展。

举例来说，在嵌入式闪存产品中，存在控制栅CG(浮栅FG)和选择栅SG两种栅，工艺过程中需要两次多晶硅沉积(Poly-dep)和两次刻蚀，分别为PC-ET(Poly0-ET)和CG-ET(Poly0/ONO/Poly1-ET)，但因两次刻蚀过程中刻蚀区域的交叠，导致在某些特殊的有源区(AA)存在过刻蚀，形成凹坑(Pits)。而存储单元源区(Source区)的接触塞(CT)引出恰好在该凹坑区域，凹坑的存在导致存储单元源区与接触塞之间接触不良，从而对产品的良率甚至可靠性造成影响。

然而，提高良率，增加可靠性是增强嵌入式闪存产品竞争力的重中之重，因此提高嵌入式闪存产品的良率是目前亟待解决的问题。

发明内容

基于此，有必要针对目前嵌入式闪存产品的良率难以提升的问题，提供一种闪存存储器的制备方法。

一种闪存存储器的制备方法，包括以下步骤：

提供半导体衬底，半导体衬底上定义有存储区，存储区包括若干存储单元区、若干源接触孔区以及若干浅沟槽区；

在半导体衬底上依次沉积第一介质层和第一多晶硅层，刻蚀第一多晶硅层，以去除部分浅沟槽区上方的第一多晶硅层，并保留覆盖源接触孔区上方的第一多晶硅层；

依次沉积第二介质层和第二多晶硅层，刻蚀第二多晶硅层、第二介质层和第一多晶硅层，以在存储单元区形成存储单元结构，并去除源接触孔区上方的第一多晶硅层、第二介质层和第二多晶硅层。

在其中一个实施例中，浅沟槽区包括选择管栅接触孔区，去除部分浅沟槽区上方的第一多晶硅层，包括：

去除选择管栅接触孔区外浅沟槽区上方的第一多晶硅层。

在其中一个实施例中，刻蚀第二多晶硅层、第二介质层和第一多晶硅层包括：

先只刻蚀第二多晶硅层，以去除选择管栅接触孔区上方的第二多晶硅层；

再同时刻蚀第二多晶硅层、第二介质层和第一多晶硅层，以在存储单元区形成存储单元结构，并去除源接触孔区上方的第一多晶硅层、第二介质层和第二多晶硅层。

在其中一个实施例中，存储单元结构包括相连的选择管和控制管，选择管的栅和控制管的栅均包括依次层叠的第一多晶硅层、第二介质层和第二多晶硅层，选择管的源、漏以及控制管的源、漏上方的第一多晶硅层、第二介质层和第二多晶硅层均去除，且选择管的漏作为存储单元结构的第一引出端，选择管的源和控制管的漏直接相连，控制管的源作为存储单元结构的第二引出端。

在其中一个实施例中，上述的方法还包括：在源接触孔区对应的有源区内形成源接触孔，且有源区跨出源接触孔的距离取值范围为0.01μm～0.1μm。