[发明专利]一种用于大面积PECVD基片传输结构有效
| 申请号: | 201910418779.1 | 申请日: | 2019-05-20 |
| 公开(公告)号: | CN110093594B | 公开(公告)日: | 2021-05-18 |
| 发明(设计)人: | 张迎春;刘洁雅 | 申请(专利权)人: | 北京捷造光电技术有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;C23C16/458 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 100176 北京市大兴区北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种用于大面积PECVD基片传输结构,主要包括:滚轮通过螺钉固定在传输轴上,传输轴两端通过轴承座固定在真空室底板两侧的固定导轨上,传输轴一端通过键连接两个同步带轮,各传输轴上同步带轮通过同步带相连接,整个传输结构设置于真空室内侧,传输动力由一个磁流体装置引入;在下电极上各滚轮位置上,设置有梯形槽孔,各滚轮含于各梯形槽孔中,传输基片时滚轮露出下电极上面,反应时下电极上升托起基片,滚轮低于下电极上面,此基片传输结构是整轴多点支撑式结构,结构简单,便于调整,无需托针升降装置,减少了磁流体装置的数量,节约成本,避免了现有PECVD基片传输结构中传输轴易产生变形,磁流体装置损坏,基片易变形、卡滞的现象。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 用于 大面积 pecvd 传输 结构 | ||
【主权项】:
1.一种用于大面积PECVD基片传输结构,其特征在于,包括:真空腔室(1),固定导轨(2),轴承座(3),传输轴(4),下电极(5),滚轮(6),喷淋电极(7),基片(8),同步带轮(9),短键(10),磁流体装置(11),外同步带轮(12),电机同步带轮(13),长键(14),减速电机(15),支撑板(16),电极升降装置(17);所述基片传输结构设置于真空腔室(1)内侧,在所述真空腔室(1)底板上两侧固定连接有所述固定导轨(2),在所述固定导轨(2)上面设置有多组轴承座(3),所述传动轴(4)活动连接在所述两侧的轴承座(3)内,所述传动轴(4)上设置有多个滚轮(6),所述传动轴(4)一端通过短键(10)连接两个同步带轮(9),所述各传动轴(4)上相邻两同步带轮(9)通过同步带相连接;所述真空腔室(1)外侧,由一个磁流体装置(11)将传输动力引入,所述磁流体装置(11)馈入真空侧轴上,设置有同步带轮(9),与所述相邻传输轴(4)上的同步带轮(9)之间设置有同步带,将传输动力馈入;所述磁流体装置(11)外侧同步带轮(12)通过同步带与所述减速电机(15)轴上所述电机同步带轮(13)相连;所述支撑板(16)与所述真空腔室(1)固定连接,所述减速电机(15)与所述支撑板(16)固定连接,所述减速电机(15)轴端与所述电机同步带轮(13)间设置有所述长键(14);所述下电极(5)设置有与所述滚轮(6)数量及位置相同的梯形槽孔,当所述下电极(5)上下升降时,所述滚轮(6)在所述下电极(5)梯形槽孔内可相对位移;传输基片时,所述滚轮(6)露出所述下电极(5)上面,沉积反应时,所述下电极(5)上升托起所述基片(8),使所述滚轮(6)低于所述下电极(5)上面。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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