[发明专利]一种用于大面积PECVD基片传输结构

说明书

本发明公开了一种用于大面积PECVD基片传输结构,主要包括：滚轮通过螺钉固定在传输轴上，传输轴两端通过轴承座固定在真空室底板两侧的固定导轨上，传输轴一端通过键连接两个同步带轮，各传输轴上同步带轮通过同步带相连接，整个传输结构设置于真空室内侧，传输动力由一个磁流体装置引入；在下电极上各滚轮位置上，设置有梯形槽孔，各滚轮含于各梯形槽孔中，传输基片时滚轮露出下电极上面，反应时下电极上升托起基片，滚轮低于下电极上面，此基片传输结构是整轴多点支撑式结构，结构简单，便于调整，无需托针升降装置，减少了磁流体装置的数量，节约成本，避免了现有PECVD基片传输结构中传输轴易产生变形，磁流体装置损坏，基片易变形、卡滞的现象。

技术领域

本发明涉及光伏技术领域，具体涉及一种PECVD基片传输技术。

背景技术

PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）是指等离子体增强的化学气相沉积技术。即在真空环境下,借助于气体辉光放电产生的低温离子体，增强了反应物质的化学活性，促进了气体间的化学反应，从而在基片上沉积出所需的膜层。

现有技术中，如图5所示，传输轴是由位于真空腔室两侧伸缩板上安装的多组磁流体装置组成，磁流体装置的长轴端，通过伸缩板和真空腔室之间的伸缩波纹管馈入到真空腔室内，轴端连接有传动轮；磁流体装置的短轴端，连接有同步带轮通过同步带与减速电机相连，真空腔室下腔壁外侧，通过连接板固定连接有伸缩驱动装置，连接板及伸缩板之间连接有滑轨装置，由伸缩驱动装置驱动滑轨装置，带动传输轴水平方向伸进或缩回；真空腔室两侧的传动结构呈对称分布，组成半轴可伸缩式的传动结构。这种结构中，传动轮与下电极是完全分离且相互制约的，传输基片时，下电极需下降至低于传动轮时，传动轮才可伸进，此时基片支撑在两侧伸进的传动轮上，并由传动轮带动基片传输至下电极正上方，此时托针升降装置驱动托针升起托起基片，传动轮才可缩回（参见图6），托针下降直至基片置于下电极上面止，此时下电极及基片上升至与喷淋电极之间所需要的工艺距离。

由于现有传输结构中，传动轮与下电极是完全分离且相互制约的，整个传输结构中增加了托针升降装置，造成结构复杂，成本高；较多的磁流体装置的馈入，多处的真空密封结构，增大了影响真空性能的隐患；半轴悬臂传输状态，支撑基片的传动轮少，不仅传输轴容易发生变形，基片也很容易变形，造成基片传输不平稳，或产生卡滞现象；这些缺陷不能满足PECVD电池生产线快节拍、高稳定性以及薄膜沉积所需的严格工艺环境要求。

发明内容

本发明要解决的技术问题是克服现有技术的不足，本发明提供了一种用于大面积PECVD基片传输结构，本发明的基片传输结构设置于真空室内侧，仅由一个磁流体装置将传输动力引入，减少了磁流体数量及真空密封点数量，节约了成本，减少了影响真空性能的隐患；传输轴为整体结构，且每个传输轴上有多个滚轮，基片传输中，不仅传输轴本身不容易变形，而且基片位于多个滚轮上传输，多点支撑，使基片也不易发生变形，传输更加平稳，可靠；滚轮的一部分是含在下电极梯形槽孔间的，下电极升降不受滚轮的制约，下电极可以直接上升托起滚轮上的基片，无需托针升降装置，使结构更加简单，可靠；克服了现有PECVD基片传输结构的不足。

本发明所采用的技术方案是：提供了一种用于大面积PECVD基片传输结构，其特征在于，包括：真空腔室，固定导轨，轴承座，传输轴，下电极，滚轮，喷淋电极，基片，同步带轮，短键，磁流体装置，外同步带轮，电极同步带轮，长键，减速电机，支撑板，电极升降装置；

所述基片传输结构设置于真空腔室内侧，在真空腔室底板两侧分别固定连接有固定导轨，在每根固定导轨上面设置有多组轴承座，每组轴承座之间活动连接有传输轴，传输轴上设置有多个滚轮，并通过螺钉与传输轴固定连接，传输轴与基片传输方向垂直；每根传输轴的较长端设置有两个同步带轮，所述同步带轮通过短键与传输轴相连，并设置于所述真空腔室的同侧，