[发明专利]一种红外窄带滤光片制造方法有效
| 申请号： | 201910414368.5 | 申请日： | 2019-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN110133783B | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 赵刚科;尹智辉 | 申请（专利权）人： | 东莞市微科光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/20 | 分类号： | G02B5/20;C23C14/34;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张春水;唐京桥 |
| 地址： | 523000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种红外窄带滤光片制造方法，包括：通过中频溅射的方式镀膜，在靶材溅射过程中向靶材直接冲氢气反应得到带铝的高折射率SIH材料层，其中，所述靶材为硅铝靶。所述中频溅射的方式包括：采用从上往下溅射镀膜，其中，溅射源在上，基材在下。本发明实施例提供的一种红外窄带滤光片制造方法，通过中频溅射的方式镀膜，在靶材溅射过程中向靶材直接冲氢气反应得到带铝的高折射率SIH材料层，因没有采用离子源冲氢气反应，SIH材料层不开离子源辅助成膜，应力降低，变形量减少，得到的SIH材料可见光波段可达到5以上，红外800‑1000nm波段折射率在3.5以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 红外 窄带 滤光 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种红外窄带滤光片制造方法，其特征在于，包括：通过中频溅射的方式镀膜，在靶材溅射过程中向靶材直接冲氢气反应得到带铝的高折射率SIH材料层，其中，所述靶材为硅铝靶。
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