[发明专利]一种红外窄带滤光片制造方法

说明书

本发明公开了一种红外窄带滤光片制造方法，包括：通过中频溅射的方式镀膜，在靶材溅射过程中向靶材直接冲氢气反应得到带铝的高折射率SIH材料层，其中，所述靶材为硅铝靶。所述中频溅射的方式包括：采用从上往下溅射镀膜，其中，溅射源在上，基材在下。本发明实施例提供的一种红外窄带滤光片制造方法，通过中频溅射的方式镀膜，在靶材溅射过程中向靶材直接冲氢气反应得到带铝的高折射率SIH材料层，因没有采用离子源冲氢气反应，SIH材料层不开离子源辅助成膜，应力降低，变形量减少，得到的SIH材料可见光波段可达到5以上，红外800‑1000nm波段折射率在3.5以上。

技术领域

本发明属于带通滤光片技术领域，尤其涉及一种红外窄带滤光片制造方法。

背景技术

红外窄带滤光片，目前主要应用于手机、人脸支付系统等生物识别领域，使用在红外800—1000nm带宽、50nm左右的光通窄带，不需要的波段要求都截止，OD值在4到5左右，并且随着角度的变化波长偏移量要求尽量小，并且光谱不能变形，减少信躁比，使器件灵敏度，速度更快。

现有的红外窄带滤光片使用高低射率材料通过不同膜层交替堆加达到效果，一般使用高折射率材料(TI3O5、NB2OB、SIH)低折射率材料(SIO2)。

然而，因成膜温度在150度以上、SIO2应力大并且镜片要求在0.21mm左右，导致成膜变形量大，造成不同滤光片之间的均匀性差异非常大，超出光谱规格要求，降低了产品可用率。红外窄带要求透光区，透过越高成像越清晰，灵敏度越高，现有技术因得到的SIH层折射率有限，在3.5左右，并且截止、带宽稳定性差和透过率偏低，平均值常达不到要求，截止OD值偏低。

传统的材料层获得方式是通过靶材溅射出材料分子先在基材上形成一层薄膜，然后转向通过RF或PBS充入不同的反应气体形成等离子体与基材上薄膜结合形成新的材料层。

发明内容

本发明的目的在于提供一种红外窄带滤光片制造方法，以解决以上技术问题。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

一种红外窄带滤光片制造方法，包括：

通过中频溅射的方式镀膜，在靶材溅射过程中向靶材直接冲氢气反应得到带铝的高折射率SIH材料层，其中，所述靶材为硅铝靶。

可选的，所述中频溅射的方式包括：

采用从上往下溅射镀膜，其中，溅射源在上，基材在下。

可选的，所述中频溅射为采用频率为40kHz的溅射源溅射。

可选的，基材以预设的速度旋转，靶材溅射方向垂直于该旋转平面。

可选的，所述硅铝靶中铝硅含量比例为1：40。

与现有技术相比，本发明实施例具有以下有益效果：

本发明实施例提供的一种红外窄带滤光片制造方法，通过中频溅射的方式镀膜，在靶材溅射过程中向靶材直接冲氢气反应得到带铝的高折射率SIH材料层，因没有采用离子源冲氢气反应，SIH材料层不开离子源辅助成膜，应力降低，变形量减少，得到的SIH材料可见光波段可达到5以上，红外800-1000nm波段折射率在3.5以上。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1为本发明实施例提供的一种红外窄带滤光片制造方法的方法流程图。

图2为本发明实施例提供的一种红外窄带滤光片制造方法的又一方法流程图。