[发明专利]掩模材料的区域选择性沉积有效
| 申请号： | 201910409763.4 | 申请日： | 2019-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN110504162B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 曾文德;E·阿尔塔米拉诺桑切兹 | 申请（专利权）人： | IMEC非营利协会 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/417;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 蔡文清;沙永生 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在第一方面中，本发明涉及在半导体结构中形成腔(800)的方法，所述方法包括以下步骤：a.提供一种半导体结构，所述半导体结构包括：i.半导体基材(100)，ii.在半导体基材(100)上的一组线结构(300)，各线结构(300)具有顶表面和侧壁，所述线结构(300)通过其间的沟槽(400)隔开，以及iii.含氧介电材料(410)，其至少部分填充了线结构(300)之间的沟槽(400)，其中，至少一个线结构(300)的顶表面至少部分暴露，并且其中，顶表面的暴露部分包含无氧介电材料(320,330)；b.使TaSix层(700)相对于含氧介电材料(410)选择性形成于无氧介电材料(320,330)上；c.通过相对于TaSix(700)选择性去除至少部分含氧介电材料(410)来形成腔(800)。 | ||
| 搜索关键词： | 材料 区域 选择性 沉积 | ||
【主权项】：
1.一种用于在半导体结构中形成腔(800)的方法，所述方法包括：/na.提供一种半导体结构，所述半导体结构包括：/ni.半导体基材(100)，/nii.在半导体基材(100)上的一组线结构(300)，各线结构(300)具有顶表面和侧壁，所述线结构(300)通过其间的沟槽(400)隔开，以及/niii.含氧介电材料(410)，其至少部分填充了线结构(300)之间的沟槽(400)，/n其中，至少一个线结构(300)的顶表面至少部分暴露，并且/n其中，顶表面的暴露部分包含无氧介电材料(320,330)；/nb.使TaSix层(700)相对于含氧介电材料(410)选择性形成于无氧介电材料(320,330)上；/nc.通过相对于TaSix(700)选择性去除至少部分含氧介电材料(410)来形成腔(800)。/n
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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