[发明专利]掩模材料的区域选择性沉积

权利要求书

1.一种用于在半导体结构中形成腔的方法，所述方法包括：

a) 提供一种半导体结构，所述半导体结构包括：

i. 半导体基材，

ii. 在半导体基材上的一组线结构，各线结构具有顶表面和侧壁，所述线结构通过其间的沟槽隔开；以及

iii. 含氧介电材料，其至少部分填充了线结构之间的沟槽，

其中，至少一个线结构的顶表面至少部分暴露，并且

其中，顶表面的暴露部分包含无氧介电材料；

b) 使TaSi_x层相对于含氧介电材料选择性沉积以覆盖无氧介电材料上；

c) 通过相对于TaSi_x层选择性去除至少部分含氧介电材料来形成腔。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述腔使半导体基材暴露，并且/或者使至少一个线结构的至少一个侧壁暴露。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述含氧介电材料是SiO₂。

4.如权利要求1所述的方法，其中，所述无氧介电材料是Si_xN_y。

5.如权利要求1所述的方法，其中，半导体结构包括至少一个半导体有源区域，所述半导体有源区域包括通道区、源极区和漏极区。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述至少一个线结构包括：

在通道区上方的栅极结构，所述栅极结构具有顶表面和侧壁；

对栅极结构的至少一个侧壁进行衬砌的栅极间隔体；以及

覆盖栅极结构顶表面的栅极盖。

7.如权利要求6所述的方法，其中，所述栅极间隔体和/或栅极盖包含无氧介电材料。

8.如权利要求5所述的方法，其中，所述腔形成于源极区或漏极区的接触部。

9.如权利要求1所述的方法，其中，步骤a)包括：

提供半导体结构，其中，线结构的顶表面由覆盖层覆盖；以及

相对于无氧介电材料选择性去除至少部分覆盖层，由此获得顶表面的暴露部分。

10.如权利要求9所述的方法，其中，所述覆盖层包含含氧介电材料。

11.如权利要求1所述的方法，其中，通过图案化的硬掩模进行步骤c)，并且其中，提供图案化的硬掩模包括：在步骤b)之前在半导体结构之上提供无氧介电材料的图案化层，并且在步骤b)期间，使TaSi_x层沉积到所述图案化层上。

12.如权利要求1所述的方法，所述方法还包括在步骤c)之后的另一步骤d)：用填充材料来填充腔。

13.如权利要求12所述的方法，其中，在步骤d)中对腔进行过量填充，由此形成覆盖物，并且，所述方法包括在步骤d)之后的另一步骤e)：使覆盖物平面化。

14.如权利要求13所述的方法，其中，在步骤e)的平面化期间去除TaSi_x层。

15.通过权利要求1～14中任一项所述的方法形成的半导体结构，所述半导体结构包括：

i) 半导体基材，

ii) 在半导体基材上的一组线结构，各线结构包括顶表面，所述线结构通过其间的沟槽隔开，其中，至少一个线结构的顶表面包含无氧介电材料；

iii) 含氧介电材料，其至少部分填充了线结构之间的沟槽，以及

iv) TaSi_x层，其相对于含氧介电材料区域选择性覆盖无氧介电材料。