[发明专利]纳米粒子层图案化的方法、量子点发光器件及显示装置有效
| 申请号： | 201910405886.0 | 申请日： | 2019-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN110137387B | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 张振琦 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/50;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 刘伟;蔡丽 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及显示领域，尤其涉及纳米粒子层图案化的方法、量子点发光器件及显示装置。本发明的纳米粒子层图案化的方法，包括以下步骤：(S1)将第一碱基连接于基板的预设区域的表面，形成修饰有第一碱基的基板；(S2)在所述基板的预设区域内沉积纳米粒子，所述纳米粒子的配体上包含第二碱基，所述第一碱基与第二碱基通过氢键连接，自组装形成纳米粒子层；(S3)去除未参与氢键连接的纳米粒子。本发明不需要采用喷墨打印法或者光刻法即可完成纳米粒子层，特别是量子点层的图案化，能够形成高分辨率、性能良好的纳米粒子层。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 粒子 图案 方法 量子 发光 器件 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种纳米粒子层图案化的方法，其特征在于，包括以下步骤：(S1)将第一碱基连接于基板的预设区域的表面，形成修饰有第一碱基的基板；(S2)在所述基板的预设区域内沉积纳米粒子，所述纳米粒子的配体上包含第二碱基，所述第一碱基与第二碱基通过氢键连接，自组装形成纳米粒子层；(S3)去除未参与氢键连接的纳米粒子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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