[发明专利]纳米粒子层图案化的方法、量子点发光器件及显示装置有效
申请号: | 201910405886.0 | 申请日: | 2019-05-16 |
公开(公告)号: | CN110137387B | 公开(公告)日: | 2021-11-16 |
发明(设计)人: | 张振琦 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/50;H01L27/32 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 刘伟;蔡丽 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 纳米 粒子 图案 方法 量子 发光 器件 显示装置 | ||
1.一种纳米粒子层图案化的方法,其特征在于,包括以下步骤:
(S1)将第一碱基连接于基板的预设区域的表面,形成修饰有第一碱基的基板;
(S2)在所述基板的预设区域内沉积纳米粒子,所述纳米粒子的配体上包含第二碱基,所述第一碱基与第二碱基通过氢键连接,自组装形成纳米粒子层;
(S3)去除未参与氢键连接的纳米粒子;
所述纳米粒子层为量子点层。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(S1)具体为:
在基板的预设区域内连接包含第一碱基的化合物,形成修饰有第一碱基的基板;或者
在基板的整个表面连接包含第一碱基的化合物,然后去除非预设区域连接的第一碱基,形成修饰有第一碱基的基板。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(S3)去除未参与氢键连接的纳米粒子后,还包括:
在预设区域内依次沉积多层纳米粒子层,不同所述纳米粒子层之间通过氢键连接。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法具体包括:
在第一预设区域内形成修饰有第一碱基的基板;
在所述基板上沉积第一量子点,所述第一量子点的配体上包含第二碱基,所述第一碱基与第二碱基通过氢键连接,形成第一量子点层;
去除未参与氢键连接的第一量子点;
在第二预设区域内形成修饰有第三碱基的基板;
在所述基板上沉积第二量子点,所述第二量子点的配体上包含第四碱基,所述第三碱基与第四碱基通过氢键连接,形成第二量子点层;
去除未参与氢键连接的第二量子点;
其中,所述第一量子点发射的光的颜色与所述第二量子点发射的光的颜色不同。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
在第三预设区域内形成修饰有第五碱基的基板;
在所述基板上沉积第三量子点,所述第三量子点的配体上包含第六碱基,所述第五碱基与第六碱基通过氢键连接,形成第三量子点层;
去除未参与氢键连接的第三量子点;
其中,所述第三量子点发射的光的颜色与所述第一量子点发射的光的颜色、所述第二量子点发射的光的颜色均不同。
6.根据权利要求1或4~5任意一项所述的方法,其特征在于,所述第一碱基、第二碱基、第三碱基、第四碱基、第五碱基和第六碱基分别选自A、T、G、C、dNam、d5SICS中的任意一种,且所述第一碱基和第二碱基可形成氢键连接,所述第三碱基和第四碱基可形成氢键连接,所述第五碱基和第六碱基可形成氢键连接。
7.一种量子点发光器件的制作方法,包括形成阳极、量子点层和阴极,其特征在于,所述量子点层采用权利要求1或4~6任意一项所述的图案化的方法制成。
8.一种量子点发光器件,其特征在于,采用权利要求7所述的量子点发光器件的制作方法制作形成。
9.一种显示装置,包括权利要求8所述的量子点发光器件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择