[发明专利]纳米粒子层图案化的方法、量子点发光器件及显示装置

说明书

本发明涉及显示领域，尤其涉及纳米粒子层图案化的方法、量子点发光器件及显示装置。本发明的纳米粒子层图案化的方法，包括以下步骤：(S1)将第一碱基连接于基板的预设区域的表面，形成修饰有第一碱基的基板；(S2)在所述基板的预设区域内沉积纳米粒子，所述纳米粒子的配体上包含第二碱基，所述第一碱基与第二碱基通过氢键连接，自组装形成纳米粒子层；(S3)去除未参与氢键连接的纳米粒子。本发明不需要采用喷墨打印法或者光刻法即可完成纳米粒子层，特别是量子点层的图案化，能够形成高分辨率、性能良好的纳米粒子层。

技术领域

本发明涉及显示领域，尤其涉及纳米粒子层图案化的方法、量子点发光器件及显示装置。

背景技术

随着量子点制备技术的深入发展，量子点的稳定性以及发光效率不断提升，量子点电致发光二极管(Quantum Light Emitting Diode，QLED)的研究不断深入，QLED在显示领域的应用前景日渐光明。但是，目前QLED的生成效率还没有达到量产水平，其中最重要的原因是QLED的高分辨率图案化技术目前还没有取得突破。

量子点是零维的纳米半导体材料，量子点三个维度的尺寸都不大于其对应的半导体材料的激子玻尔半径的两倍，现有技术制造图案化的量子点时，由于量子点的无机纳米粒子特性，无法通过蒸镀成膜并图案化的方法制作图案化的量子点。

现有技术一般通过喷墨打印法制作图案化的量子点，而采用这种方法很难达到较高的分辨率。现有技术为了提高产品的分辨率，采用光刻法制作图案化的量子点，由于光刻法包括曝光过程，而曝光过程容易对量子点的性能造成影响。

综上所述，现有技术无法制作图案化的高分辨率的量子点层。同样，与量子点性能相似的无机纳米粒子，也无法按照现有技术形成图案化的高分辨率膜层。

发明内容

本发明要解决的技术问题是：提供纳米粒子层图案化的方法、量子点发光器件及显示装置；所述图案化的方法可形成分辨率高的纳米粒子层，应用于量子点发光器件中时，可形成分别率高的量子点层。

本发明提供了一种纳米粒子层图案化的方法，包括以下步骤：

(S1)将第一碱基连接于基板的预设区域的表面，形成修饰有第一碱基的基板；

(S2)在所述基板的预设区域内沉积纳米粒子，所述纳米粒子的配体上包含第二碱基，所述第一碱基与第二碱基通过氢键连接，自组装形成纳米粒子层；

(S3)去除未参与氢键连接的纳米粒子。

优选地，步骤(S1)具体为：

在基板的预设区域内连接包含第一碱基的化合物，形成修饰有第一碱基的基板；或者

在基板的整个表面连接包含第一碱基的化合物，然后去除非预设区域连接的第一碱基，形成修饰有第一碱基的基板。

优选地，步骤(S3)去除未参与氢键连接的纳米粒子后，还包括：

在预设区域内依次沉积多层纳米粒子层，不同所述纳米粒子层之间通过氢键连接。

优选地，所述纳米粒子层为量子点层。

优选地，所述方法具体包括：

在第一预设区域内形成修饰有第一碱基的基板；

在所述基板上沉积第一量子点，所述第一量子点的配体上包含第二碱基，所述第一碱基与第二碱基通过氢键连接，形成第一量子点层；

去除未参与氢键连接的第一量子点；

在第二预设区域内形成修饰有第三碱基的基板；

在所述基板上沉积第二量子点，所述第二量子点的配体上包含第四碱基，所述第三碱基与第四碱基通过氢键连接，形成第二量子点层；