[发明专利]用于屏蔽磁敏感组件的结构和方法

摘要

公开了用于屏蔽磁敏感组件的结构和方法。一种结构包括：衬底；设置在衬底上的底屏蔽件；具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面的磁电阻半导体器件，磁电阻半导体器件的第一表面设置在底屏蔽件上；设置在磁电阻半导体器件的第二表面上的顶屏蔽件；以及将磁电阻半导体器件连接到多个导电元件的多个互连，其中顶屏蔽件具有用于接入所述磁电阻半导体器件的窗口。

主权项

1.一种半导体封装件，包括：设置在第一平面中的第一屏蔽件，所述第一屏蔽件包括第一侧、第二侧以及在第一平面中在第一屏蔽件的第一侧和第二侧之间延伸的第一长度；磁电阻元件，具有第一表面和与第一表面相反的第二表面，其中所述磁电阻元件的第一表面设置为在第一界面处与所述第一屏蔽件的第一长度的至少一部分相邻；以及第二屏蔽件，设置为在第二界面处与所述磁电阻元件的第二表面相邻，其中所述第二屏蔽件在平行于第一平面的第二平面中延伸，所述第二屏蔽件包括第一侧、第二侧和在所述第二屏蔽件的第一侧和第二侧之间并且完全在第二平面中延伸的第二长度，以及其中第二屏蔽件包括用于接入所述磁电阻元件的窗口，并且其中所述窗口在垂直于所述第二屏蔽件的第二长度的方向上并且在第二平面中延伸穿过所述第二屏蔽件的整体宽度。