[发明专利]用于屏蔽磁敏感组件的结构和方法

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

设置在第一平面中的第一屏蔽件，所述第一屏蔽件包括第一侧、第二侧以及在第一平面中在第一屏蔽件的第一侧和第二侧之间延伸的第一长度；

磁电阻元件，具有第一表面和与第一表面相反的第二表面，其中所述磁电阻元件的第一表面设置为在第一界面处与所述第一屏蔽件的第一长度的至少一部分相邻，其中第一屏蔽件的第一侧和第二侧延伸超出所述磁电阻元件的侧面；以及

第二屏蔽件，设置为在第二界面处与所述磁电阻元件的第二表面相邻，

其中所述第二屏蔽件在平行于第一平面的第二平面中延伸，所述第二屏蔽件包括第一侧、第二侧和在所述第二屏蔽件的第一侧和第二侧之间并且完全在第二平面中延伸的第二长度，其中第二屏蔽件的第一侧和第二侧延伸超出所述磁电阻元件的侧面，使得在所述磁电阻元件外侧在第一屏蔽件和第二屏蔽件之间形成有间隙；以及

其中第二屏蔽件包括用于接入所述磁电阻元件的窗口，并且其中所述窗口在垂直于所述第二屏蔽件的第二长度的方向上并且在第二平面中延伸穿过所述第二屏蔽件的整体宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中所述第二屏蔽件包括第一屏蔽件部分和第二屏蔽件部分，并且其中第一屏蔽件部分和第二屏蔽件部分都设置在所述第二平面中并且设置为与所述磁电阻元件的第二表面相邻以形成窗口。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中所述第二屏蔽件包括第一屏蔽件部分和第二屏蔽件部分，其中第一屏蔽件部分和第二屏蔽件部分都设置在所述第二平面中并且设置为与所述磁电阻元件的第二表面相邻以形成窗口，并且其中所述半导体封装件还包括球栅阵列。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中所述磁电阻元件包括磁电阻存储器器件，所述磁电阻存储器器件包括磁隧道结比特的阵列。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件，还包括：

多个互连，将所述磁电阻元件连接到多个导电元件。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中所述第一屏蔽件的第一长度大于所述第二屏蔽件的第二长度。

7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中所述第一屏蔽件的第一长度和所述第二屏蔽件的第二长度相等。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中所述磁电阻元件包括第一侧、第二侧以及在磁电阻元件平面中在第一侧和第二侧之间延伸的磁电阻元件长度。

9.根据权利要求1所述的半导体封装件，还包括：

第一粘合剂，设置在所述第一屏蔽件和所述磁电阻元件之间；以及

第二粘合剂，设置在所述第二屏蔽件和所述磁电阻元件之间。

10.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中第一界面和第二界面是平行的。

11.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中所述第一屏蔽件和所述第二屏蔽件中的至少一个的厚度在从约50μm到约500μm的范围内，并且其中所述第一屏蔽件或所述第二屏蔽件的相应厚度在垂直于第一平面和第二平面的方向上延伸。

12.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中所述第一屏蔽件和所述第二屏蔽件中的至少一个由具有高磁导率的金属形成。

13.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中所述第一屏蔽件和所述第二屏蔽件中的至少一个由包括镍和铁的合金形成。

14.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中所述第一屏蔽件和所述第二屏蔽件中的至少一个由软磁材料形成。