[发明专利]用于屏蔽磁敏感组件的结构和方法

说明书

公开了用于屏蔽磁敏感组件的结构和方法。一种结构包括：衬底；设置在衬底上的底屏蔽件；具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面的磁电阻半导体器件，磁电阻半导体器件的第一表面设置在底屏蔽件上；设置在磁电阻半导体器件的第二表面上的顶屏蔽件；以及将磁电阻半导体器件连接到多个导电元件的多个互连，其中顶屏蔽件具有用于接入所述磁电阻半导体器件的窗口。

本申请是申请日为2015年5月15日、申请号为201580026548.6、发明名称为“用于屏蔽磁敏感组件的结构和方法”的中国发明专利申请的分案申请。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2014年5月15日提交的美国临时申请No.61/993,668和于2015年5月14日提交的美国非临时申请号No.14/712,130的优先权，其全部内容通过引用并入本文中。

技术领域

本公开涉及屏蔽半导体器件。更具体地，本公开涉及屏蔽包括一个或多个具有磁敏感材料的半导体器件。

背景技术

例如，在磁存储器单元和磁传感器中使用磁材料。磁电阻随机存取存储器(Magnetoresistive Random Access Memory,“MRAM”)是使用磁荷(magnetic charges)来储存数据的非易失性计算机存储器技术。MRAM包括磁电阻存储器元件或单元等。在一个示例中，每个存储器单元具有包括由不同非磁层分开的多个磁层的结构。一般而言，通过向磁电阻存储器单元施加磁场或自旋矩(spin torque)，并由此使得在存储器单元中的磁材料被磁化为两个可能的存储器状态中的一个，来完成储存数据。通过感测存储器单元中的电阻水平来完成复现数据。

对用于数据保持的MRAM器件的发展和使用的兴趣日益增长，这是因为MRAM结合了静态随机存取存储器(Static Random Access Memory,“SRAM”)的速度与闪存的非易失性。此外，与闪存相比，MRAM具有相对低的功率消耗、好的可靠性特性，并且随着时间几乎没有退化。不幸地，MRAM器件的问题是来自外部磁场的干扰可能导致错误。

由于磁的性质，需要提供一种磁电阻存储器器件和封装方法，其导致对外部磁场干扰的较高的抗扰度。

发明概述

根据本公开一个方面，提供了一种半导体封装件，包括：设置在第一平面中的底屏蔽件，所述底屏蔽件包括第一侧、第二侧以及在第一侧与第二侧之间延伸的第一尺寸；磁电阻半导体器件，具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面，所述磁电阻半导体器件的所述第一表面设置在所述底屏蔽件的至少一部分上；以及顶屏蔽件，设置在所述磁电阻半导体器件的所述第二表面上，所述顶屏蔽件具有用于接入所述磁电阻半导体器件的窗口，其中所述顶屏蔽件设置在与所述第一平面平行的第二平面中，所述顶屏蔽件包括第一侧、第二侧以及在第一侧与第二侧之间延伸的第二尺寸。

根据本公开另一方面，提供了一种半导体封装件，包括：第一屏蔽件；磁电阻半导体器件，具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面，所述磁电阻半导体器件的所述第一表面设置在所述第一屏蔽件上；第二屏蔽件，设置在所述磁电阻半导体器件的所述第二表面上，所述第二屏蔽件具有用于接入所述磁电阻半导体器件的窗口；以及第三屏蔽件，设置在所述第一屏蔽件与所述第二屏蔽件之间，并且与所述磁电阻半导体器件相邻。

根据本公开另一方面，提供了一种封装磁电阻半导体器件的方法，所述方法包括：形成衬底；在衬底上设置底屏蔽件，所述底屏蔽件包括第一侧、第二侧以及在第一侧与第二侧之间延伸的第一尺寸；在所述底屏蔽件上设置磁电阻半导体器件，所述磁电阻半导体器件具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面；以及在所述磁电阻半导体器件的所述第二表面上设置顶屏蔽件，所述顶屏蔽件具有用于接入所述磁电阻半导体器件的窗口，其中所述顶屏蔽件设置在与所述第一平面平行的第二平面中，所述顶屏蔽件包括第一侧、第二侧以及在第一侧与第二侧之间延伸的第二尺寸。

附图说明