[发明专利]一种TFT阵列基板及显示面板有效
申请号: | 201910402429.6 | 申请日: | 2019-05-15 |
公开(公告)号: | CN110082977B | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
发明(设计)人: | 莫超德 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/13357;G02B1/11;H01L27/12 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本申请公开了一种TFT阵列基板及显示面板,其中,TFT阵列基板包括衬底基板、减反射层和栅极绝缘层;所述TFT阵列基板包括透光区;所述减反射层设置在位于所述透光区的衬底基板上,所述栅极绝缘层设置在所述减反射层上;所述衬底基板、所述减反射层和所述栅极绝缘层的光折射率依次增大,使得背光源在TFT阵列基板的透光区从光疏介质进入光密介质形成半波损失减少了反射光能量,降低了背光源在透光区各接触界面的反射率,提高了背光源在TFT阵列基板的透光区的穿透率。 | ||
搜索关键词: | 一种 tft 阵列 显示 面板 | ||
【主权项】:
1.一种TFT阵列基板,其特征在于,包括衬底基板、减反射层和栅极绝缘层;所述TFT阵列基板包括透光区;所述减反射层设置在位于所述透光区的衬底基板上,所述栅极绝缘层设置在所述减反射层上;其中,所述衬底基板、所述减反射层和所述栅极绝缘层的光折射率依次增大。
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