[发明专利]一种TFT阵列基板及显示面板

权利要求书

1.一种TFT阵列基板，其特征在于，包括衬底基板、减反射层和栅极绝缘层；所述TFT阵列基板包括透光区；所述减反射层设置在位于所述透光区的衬底基板上，所述栅极绝缘层设置在所述减反射层上；

所述衬底基板、所述减反射层和所述栅极绝缘层的光折射率依次增大；

所述TFT阵列基板还包括非透光区；所述减反射层还设置在位于所述非透光区的衬底基板上；位于所述非透光区的减反射层上设有栅极层；所述栅极绝缘层还设置在所述栅极层上。

2.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述TFT阵列基板还包括依次设置在所述栅极绝缘层上的半导体层、源漏电极层、钝化层及像素电极层。

3.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述栅极绝缘层包括依次设置在所述栅极层上的第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层的材料不同。

4.如权利要求3所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层的材料包括氮化硅或氧化硅。

5.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述减反射层包括依次叠加在所述衬底基板上的多层膜层，每层膜层的光折射率大于所述衬底基板的光折射率，且小于所述栅极绝缘层的光折射率；在朝向所述栅极绝缘层的方向上，所述多层膜层的光折射率逐层增大。

6.如权利要求5所述的TFT阵列基板，其特征在于，每层膜层的材料包括氮氧化硅、三氧化二铝和树脂类化合物中的任意一种。

7.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述减反射层的光折射率为其中，n为所述减反射层的光折射率，n₁为所述衬底基板的光折射率，n₂为所述栅极绝缘层的光折射率。

8.如权利要求7所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述减反射层的厚度为其中，e为所述减反射层的厚度，k为自然数，λ为波长为550纳米的绿光波长。

9.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至8任意一项所述的TFT阵列基板。