[发明专利]一种TFT阵列基板及显示面板

说明书

本申请公开了一种TFT阵列基板及显示面板，其中，TFT阵列基板包括衬底基板、减反射层和栅极绝缘层；所述TFT阵列基板包括透光区；所述减反射层设置在位于所述透光区的衬底基板上，所述栅极绝缘层设置在所述减反射层上；所述衬底基板、所述减反射层和所述栅极绝缘层的光折射率依次增大，使得背光源在TFT阵列基板的透光区从光疏介质进入光密介质形成半波损失减少了反射光能量，降低了背光源在透光区各接触界面的反射率，提高了背光源在TFT阵列基板的透光区的穿透率。

技术领域

本申请涉及显示面板技术领域，尤其涉及一种TFT阵列基板及显示面板。

背景技术

现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示装置，其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)，液晶显示面板本身不会发光，必须通过背光模块提供光源。液晶显示面板一般包括薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)阵列基板、彩膜(Color Filter，CF)基板、以及配置于两基板间的液晶层(Liquid Crystal Layer)，其工作原理是通过在两片基板上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。

通常背光源从TFT阵列基板侧入射，从CF基板侧出来，背光源入射到TFT阵列基板的衬底基板与栅极绝缘层接触界面时，在接触界面处有较高的光反射现象，降低了背光源的穿透率。并且，随着大尺寸和高分辨率的技术发展趋势，液晶显示面板的像素密度密度越来越大，对于高像素密度的显示面板，像素设计较小，开口率较低，衬底基板与栅极绝缘层接触界面的入射光高反射造成背光源损失更大，使得背光源在TFT阵列基板上的穿透率更低。

发明内容

本申请实施例提供一种TFT阵列基板及显示面板，以解决背光源在TFT阵列基板上的穿透率低的技术问题。

本申请实施例提供了一种TFT阵列基板，包括衬底基板、减反射层和栅极绝缘层；所述TFT阵列基板包括透光区；所述减反射层设置在位于所述透光区的衬底基板上，所述栅极绝缘层设置在所述减反射层上；

其中，所述衬底基板、所述减反射层和所述栅极绝缘层的光折射率依次增大。

可选的，所述TFT阵列基板还包括非透光区；所述减反射层还设置在位于所述非透光区的衬底基板上；位于所述非透光区的减反射层上设有栅极层；所述栅极绝缘层还设置在所述栅极层上。

可选的，所述TFT阵列基板还包括依次设置在所述栅极绝缘层上的半导体层、源漏电极层、钝化层及像素电极层。

可选的，所述栅极绝缘层包括依次设置在所述栅极层上的第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层的材料不同。

可选的，所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层的材料包括氮化硅或氧化硅。

可选的，所述减反射层包括依次叠加在所述衬底基板上的多层膜层，每层膜层的光折射率大于所述衬底基板的光折射率，且小于所述栅极绝缘层的光折射率；在朝向所述栅极绝缘层的方向上，所述多层膜层的光折射率逐层增大。

可选的，每层膜层的材料包括氮氧化硅、三氧化二铝和树脂类化合物中的任意一种。

可选的，所述减反射层的光折射率为其中，n为所述减反射层的光折射率，n₁为所述衬底基板的光折射率，n₂为所述栅极绝缘层的光折射率。

可选的，所述减反射层的厚度为其中，e为所述减反射层的厚度，k为自然数，λ为波长为550纳米的绿光波长。

本申请实施例还提供了一种显示面板，包括以上所述的TFT阵列基板。