[发明专利]花状直立取向二硫化钨修饰一维有序碳膜包覆二氧化钛纳米棒阵列复合材料及制备方法有效
| 申请号： | 201910392692.1 | 申请日： | 2019-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN110164695B | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 王玮;张金涛;苏扬;刘天宇;孙潇楠 | 申请（专利权）人： | 常州工学院 |
| 主分类号： | H01G9/042 | 分类号： | H01G9/042;H01G9/20;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 王巍巍 |
| 地址： | 213032 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及纳米材料制备技术领域，尤其是一种花状直立取向二硫化钨修饰一维有序碳膜包覆二氧化钛纳米棒阵列复合材料及制备方法，包括如下步骤：按比例称取一定量的钨酸铵，配制一定浓度的钨酸铵水溶液；取一定量上述所配制的钨酸铵水溶液置于烧杯中，将一维有序碳膜包覆二氧化钛纳米棒阵列样品置于所配制的钨酸铵水溶液中超声处理，取出，随后置于烘箱中干燥；将上述所制备样品置于管式气氛炉中，以硫粉作为硫源，采用化学气相沉积法进行硫化处理，即得到花状直立取向二硫化钨修饰一维有序碳膜包覆二氧化钛纳米棒阵列复合材料。本发明的工艺制备过程简单，成本低廉，热处理温度较低，易于放大实现规模化生产，且复合纳米材料的形貌结构可控。 | ||
| 搜索关键词： | 直立 取向 硫化 修饰 有序 碳膜包覆二 氧化 纳米 阵列 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种花状直立取向二硫化钨修饰一维有序碳膜包覆二氧化钛纳米棒阵列复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：a、在常温条件下，将钨酸铵置于去离子水中，充分搅拌均匀，配制得到钨酸铵水溶液；b、将一维有序碳膜包覆二氧化钛纳米棒阵列样品置于步骤a中所配制的钨酸铵水溶液中超声处理30‑60min，取出样品，随后置于烘箱中干燥20‑30min，得到钨酸铵修饰的一维有序碳膜包覆二氧化钛纳米棒阵列；c、将步骤b中所制得的钨酸铵修饰的一维有序碳膜包覆二氧化钛纳米棒阵列置于管式气氛炉中，以硫粉作为硫源，采用化学气相沉积法进行硫化处理30min，即得到花状直立取向二硫化钨修饰的一维有序碳膜包覆二氧化钛纳米棒阵列复合材料。
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