[发明专利]花状直立取向二硫化钨修饰一维有序碳膜包覆二氧化钛纳米棒阵列复合材料及制备方法有效
| 申请号： | 201910392692.1 | 申请日： | 2019-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN110164695B | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 王玮;张金涛;苏扬;刘天宇;孙潇楠 | 申请（专利权）人： | 常州工学院 |
| 主分类号： | H01G9/042 | 分类号： | H01G9/042;H01G9/20;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 王巍巍 |
| 地址： | 213032 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 直立 取向 硫化 修饰 有序 碳膜包覆二 氧化 纳米 阵列 复合材料 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种花状直立取向二硫化钨修饰一维有序碳膜包覆二氧化钛纳米棒阵列复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
a、在常温条件下，将钨酸铵置于去离子水中，充分搅拌均匀，配制得到钨酸铵水溶液，浓度为0.2-2.0g/mL；
b、将一维有序碳膜包覆二氧化钛纳米棒阵列样品置于步骤a中所配制的钨酸铵水溶液中超声处理30-60min，取出样品，随后置于烘箱中干燥20-30min，干燥温度为80℃，得到钨酸铵修饰的一维有序碳膜包覆二氧化钛纳米棒阵列；
c、将步骤b中所制得的钨酸铵修饰的一维有序碳膜包覆二氧化钛纳米棒阵列置于管式气氛炉中，以硫粉作为硫源，采用化学气相沉积法进行硫化处理30min，硫粉处的热处理温度为195-200℃，硫粉处从室温到设定热处理温度的升温速率为5-10℃/min，钨酸铵修饰的一维有序碳膜包覆二氧化钛纳米棒阵列处的热处理温度为500-600℃，钨酸铵修饰的一维有序碳膜包覆二氧化钛纳米棒阵列处从室温到设定热处理温度的升温速率为12-15℃/min，即得到花状直立取向二硫化钨修饰的一维有序碳膜包覆二氧化钛纳米棒阵列复合材料。
2.权利要求1所述制备方法制得的花状直立取向二硫化钨修饰一维有序碳膜包覆二氧化钛纳米棒阵列复合材料。
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