[发明专利]一种具有浮空电极的屏蔽栅功率MOSFET及其制造方法有效
| 申请号： | 201910386357.0 | 申请日： | 2019-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN111916497B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 陈润泽;王立新 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天达知识产权代理事务所有限公司 11386 | 代理人： | 庞许倩;马东伟 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有浮空电极的屏蔽栅功率MOSFET器件及其制造方法，属于功率半导体器件技术领域，解决了现有技术中转移电容较大、击穿电压较小的问题。一种具有浮空电极的屏蔽栅功率MOSFET器件，包括多个周期性排列的原胞，各所述原胞包括屏蔽电极、浮空电极和沟槽栅电极；所述屏蔽电极位于沟槽中部；所述浮空电极位于屏蔽电极两侧，并设置于沟槽中；所述沟槽栅电极位于沟槽顶部；所述屏蔽电极、浮空电极、沟槽栅电极和沟槽内侧表面相互之间通过隔离介质层隔离。现实了提高器件的击穿电压，提高器件的优值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 电极 屏蔽 功率 mosfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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