[发明专利]具有对称的导电互连图案的半导体器件在审
| 申请号： | 201910385004.9 | 申请日： | 2019-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN110783257A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 河泰政 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 11363 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 许伟群;郭放 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了具有对称的导电互连图案的半导体器件。半导体器件可以包括：下层间电介质层，在下层间电介质层之上的导电互连图案结构和填充图案，以及在导电互连图案结构和填充图案之上的上层间电介质层。每个导电互连图案结构可以包括在其中部的中间图案、在中间图案的第一侧表面上的第一导电互连图案以及在中间图案的第二侧表面上的第二导电互连图案。第一导电互连图案和第二导电互连图案可以具有彼此对称的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 导电互连 图案 电介质层 图案结构 半导体器件 侧表面 填充 下层 对称 上层 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n下层间电介质层；/n在所述下层间电介质层之上的导电互连图案结构和填充图案；和/n在所述导电互连图案结构和所述填充图案之上的上层间电介质层，/n其中，所述导电互连图案结构包括：/n中间图案，其在所述导电互连图案结构的中部；/n第一导电互连图案，其在所述中间图案的第一侧表面上；和/n第二导电互连图案，其在所述中间图案的第二侧表面上，/n其中，所述第一导电互连图案和所述第二导电互连图案具有彼此对称的结构。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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