[发明专利]具有对称的导电互连图案的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

下层间电介质层；

在所述下层间电介质层之上的导电互连图案结构和填充图案；和

在所述导电互连图案结构和所述填充图案之上的上层间电介质层，

其中，所述导电互连图案结构包括：

中间图案，其在所述导电互连图案结构的中部；

第一导电互连图案，其在所述中间图案的第一侧表面上；和

第二导电互连图案，其在所述中间图案的第二侧表面上，

其中，所述第一导电互连图案和所述第二导电互连图案具有彼此对称的结构。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电互连图案具有垂直平坦的第一侧表面以及倾斜且弧形的第二侧表面。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一导电互连图案的所述第二侧表面具有相对小的顶水平宽度和相对大的底水平宽度。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二导电互连图案具有垂直平坦的第一侧表面以及弧形的第二侧表面。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第二导电互连图案的所述第二侧表面具有相对小的顶水平宽度和相对大的底水平宽度。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电互连图案和所述第二导电互连图案均包括金属。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述中间图案具有垂直平坦的第一侧表面和第二侧表面。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述中间图案包括电介质材料。

9.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述填充图案具有相对小的底水平宽度和相对大的顶水平宽度。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其中，所述填充图案具有反弧形的侧表面。

11.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述填充图案包括电介质材料。

12.如权利要求1所述的半导体器件，其中，每个所述导电互连图案结构还包括：

第一阻挡图案，其设置在所述中间图案与所述第一导电互连图案之间；和

第二阻挡图案，其设置在所述中间图案与所述第二导电互连图案之间。

13.如权利要求12所述的半导体器件，其中，所述第一阻挡图案包括垂直部分和水平部分，所述垂直部分在所述中间图案的所述第一侧表面与所述第一导电互连图案的第一侧表面之间，所述水平部分在所述第一导电互连图案的底表面与所述下层间电介质层的顶表面之间。

14.如权利要求12所述的半导体器件，其中，所述第二阻挡图案包括垂直部分和水平部分，所述垂直部分在所述中间图案的所述第二侧表面与所述第二导电互连图案的第一侧表面之间，所述水平部分在所述第二导电互连图案的底表面与所述下层间电介质层的顶表面之间。

15.如权利要求12所述的半导体器件，其中，所述第一阻挡图案和所述第二阻挡图案包括氮化钛。

16.如权利要求12所述的半导体器件，

其中，所述第一导电互连图案的第二侧表面和所述第二导电互连图案的第二侧表面分别与每个所述填充图案的两个侧表面邻接，

所述第一导电互连图案的第一侧表面和底表面与所述第一阻挡图案邻接，并且

所述第二导电互连图案的第一侧表面和底表面与所述第二阻挡图案邻接。

17.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电互连图案和所述第二导电互连图案以及所述填充图案彼此共面。