[发明专利]薄膜制备方法、氧化亚锡SnO薄膜及半导体器件

摘要

本发明提供一种薄膜制备方法、氧化亚锡SnO薄膜及半导体器件，涉及半导体技术领域。该薄膜制备方法包括：通过将安装在靶台上的靶材与安装在样品台上的衬底设置在真空室中；对真空室抽真空处理，使得靶材和衬底处于真空环境中；对衬底加热，使得衬底的温度达到第一预设温度；对靶材蒸发并旋转样品台，使得靶材经热解、蒸发后，在衬底上沉积薄膜，得到氧化亚锡SnO薄膜。通过将衬底温度加热达到第一预设温度，并对靶材进行蒸发，避免了相关技术中，对SnO薄膜制备时，会出现SnO与Sn，或SnO与SnO2等混合相的生成，导致制备的SnO薄膜不规则导电的问题，可以制备出纯相的SnO薄膜，从而使得制备的SnO薄膜可以规则导电。

主权项

1.一种薄膜制备方法，其特征在于，所述方法包括：将安装在靶台上的靶材与安装在样品台上的衬底设置在真空室中；对所述真空室进行抽真空处理，使得所述靶材和所述衬底处于真空环境中；对所述衬底进行加热，使得所述衬底的温度达到第一预设温度；对所述靶材进行蒸发，并旋转所述样品台，使得所述靶材经热解、蒸发后，在所述衬底上沉积薄膜，得到氧化亚锡SnO薄膜。