[发明专利]薄膜制备方法、氧化亚锡SnO薄膜及半导体器件

说明书

本发明提供一种薄膜制备方法、氧化亚锡SnO薄膜及半导体器件，涉及半导体技术领域。该薄膜制备方法包括：通过将安装在靶台上的靶材与安装在样品台上的衬底设置在真空室中；对真空室抽真空处理，使得靶材和衬底处于真空环境中；对衬底加热，使得衬底的温度达到第一预设温度；对靶材蒸发并旋转样品台，使得靶材经热解、蒸发后，在衬底上沉积薄膜，得到氧化亚锡SnO薄膜。通过将衬底温度加热达到第一预设温度，并对靶材进行蒸发，避免了相关技术中，对SnO薄膜制备时，会出现SnO与Sn，或SnO与SnO₂等混合相的生成，导致制备的SnO薄膜不规则导电的问题，可以制备出纯相的SnO薄膜，从而使得制备的SnO薄膜可以规则导电。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种薄膜制备方法、氧化亚锡SnO薄膜及半导体器件。

背景技术

TCO(Transparent Conductive Oxide，透明导电氧化物)薄膜在薄膜晶体管和太阳能电池等领域得到了广泛应用。而氧化亚锡(SnO)作为TCO的候选材料，对于SnO薄膜的制备也越来越重要。

相关技术中，采用脉冲激光沉积技术，来制备氧化亚锡(SnO)薄膜，利用激光对制备SnO薄膜的原材料进行轰击，然后将轰击的原材料沉淀在衬底上，从而制得沉淀后的SnO薄膜。

但是，相关技术中，对SnO薄膜进行制备时，会出现SnO与Sn，或SnO与SnO₂等混合相的生成，导致制备的SnO薄膜出现不规则导电的问题。

发明内容

本发明的目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种薄膜制备方法及装置，以便解决相关技术中，对SnO薄膜进行制备时，会出现SnO与Sn，或SnO与SnO₂等混合相的生成，导致制备的SnO出现不规则导电的问题。

为实现上述目的，本发明实施例采用的技术方案如下：

第一方面，本发明实施例提供了一种薄膜制备方法，所述方法包括：

将安装在靶台上的靶材与安装在样品台上的衬底设置在真空室中；

对所述真空室进行抽真空处理，使得所述靶材和所述衬底处于真空环境中；

对所述衬底进行加热，使得所述衬底的温度达到第一预设温度；

对所述靶材进行蒸发，并旋转所述样品台，使得所述靶材经热解、蒸发后，在所述衬底上沉积薄膜，得到氧化亚锡SnO薄膜。

进一步地，若所述第一预设温度的温度范围为200至500摄氏度，则所述SnO薄膜为P型SnO薄膜。

进一步地，若所述第一预设温度的温度范围为200至400摄氏度，则所述P型SnO薄膜为P型无择优取向SnO薄膜；

若所述第一预设温度为500摄氏度，则所述P型SnO薄膜为P型择优取向SnO薄膜。

进一步地，在所述得到氧化亚锡SnO薄膜之后，所述方法还包括：

将所述SnO薄膜从所述真空室中转移到马弗炉中；

在第二预设温度下对所述马弗炉中的SnO薄膜进行预设时间的退火；

当所述马弗炉内的温度冷却至室温时，得到N型SnO薄膜。

进一步地，若所述第一预设温度为室温、所述第二预设温度的温度范围为300至400摄氏度、且所述预设时间为30分钟，则所述N型SnO薄膜为N型无择优取向SnO薄膜；

若所述第一预设温度为400摄氏度、所述第二预设温度的温度范围为300至400摄氏度、且所述预设时间为30分钟，则所述N型SnO薄膜为N型择优取向SnO薄膜。