[发明专利]薄膜制备方法、氧化亚锡SnO薄膜及半导体器件

权利要求书

1.一种薄膜制备方法，其特征在于，所述方法包括：

将安装在靶台上的靶材与安装在样品台上的衬底设置在真空室中；

对所述真空室进行抽真空处理，使得所述靶材和所述衬底处于真空环境中；

对所述衬底进行加热，使得所述衬底的温度达到第一预设温度；

对所述靶材进行蒸发，并旋转所述样品台，使得所述靶材经热解、蒸发后，在所述衬底上沉积薄膜，得到氧化亚锡SnO薄膜；

所述对所述靶材进行蒸发，包括：

通过蒸发电源对所述靶材进行蒸发，所述蒸发电源中的灯丝电流为0.5安培、灯丝电压为105-110伏，束流为5-7毫安；

所述第一预设温度的温度范围为200至500摄氏度，则所述SnO薄膜为P型SnO薄膜。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，若所述第一预设温度的温度范围为200至400摄氏度，则所述P型SnO薄膜为P型无择优取向SnO薄膜；

若所述第一预设温度为500摄氏度，则所述P型SnO薄膜为P型择优取向SnO薄膜。

3.一种薄膜制备方法，其特征在于，所述方法包括：

将安装在靶台上的靶材与安装在样品台上的衬底设置在真空室中；

对所述真空室进行抽真空处理，使得所述靶材和所述衬底处于真空环境中；

对所述衬底进行加热，使得所述衬底的温度达到第一预设温度；

对所述靶材进行蒸发，并旋转所述样品台，使得所述靶材经热解、蒸发后，在所述衬底上沉积薄膜，得到SnO薄膜；

所述对所述靶材进行蒸发，包括：

通过蒸发电源对所述靶材进行蒸发，所述蒸发电源中的灯丝电流为0.5安培、灯丝电压为105-110伏，束流为5-7毫安；

将所述SnO薄膜从所述真空室中转移到马弗炉中；

在第二预设温度下对所述马弗炉中的SnO薄膜进行预设时间的退火；

当所述马弗炉内的温度冷却至室温时，得到N型SnO薄膜。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，若所述第一预设温度为室温、所述第二预设温度的温度范围为300至400摄氏度、且所述预设时间为30分钟，则所述N型SnO薄膜为N型无择优取向SnO薄膜；

若所述第一预设温度为400摄氏度、所述第二预设温度的温度范围为300至400摄氏度、且所述预设时间为30分钟，则所述N型SnO薄膜为N型择优取向SnO薄膜。

5.如权利要求1或3所述的方法，其特征在于，在所述将安装在靶台上的靶材与安装在样品台上的衬底设置在真空室中之前，所述方法包括：

通过洗涤剂对原始衬底进行清洗，得到清洗后的衬底；

对所述清洗后的衬底进行风干，得到风干后的衬底；

通过紫外光对所述风干后的衬底进行照射，得到所述衬底。

6.如权利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述衬底由石英玻璃制成，所述靶材由氧化锡SnO₂制成。