[发明专利]碳化硅半导体晶圆的切割有效
| 申请号： | 201910381948.9 | 申请日： | 2019-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN110480158B | 公开（公告）日： | 2022-11-15 |
| 发明（设计）人： | A·L·维拉莫 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B23K26/0622;B23K26/06;B23K26/38;B23K26/70;H01L21/78;H01L21/67;B28D5/00;B28D5/02;B28D5/04;B23K101/06;B23K101/40 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及碳化硅半导体晶圆的切割。本发明公开了一种切割碳化硅(SiC)半导体晶圆的方法，所述方法可包括通过执行部分划切操作来在所述碳化硅(SiC)半导体晶圆内限定切口，其中所述SiC半导体晶圆沿着平面对准并且所述切口具有小于所述SiC半导体晶圆的第一厚度的深度。所述切口沿着与所述平面正交的竖直方向对准，以使得所述SiC半导体晶圆的一部分具有在所述切口的底部和所述SiC半导体晶圆的外表面之间延伸的第二厚度。所述方法还可包括通过穿过具有所述第二厚度的所述SiC半导体晶圆的所述部分来执行裂解操作来限定裂口。所述裂口可与所述切口对准并延伸到所述SiC半导体晶圆的所述外表面。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 切割 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：/n通过执行部分划切操作在碳化硅SiC半导体晶圆内限定切口，所述SiC半导体晶圆沿着平面对准，所述切口具有小于所述SiC半导体晶圆的第一厚度的深度，所述切口沿着与所述平面正交的竖直方向对准，以使得所述SiC半导体晶圆的一部分具有在所述切口的底部和所述SiC半导体晶圆的外表面之间延伸的第二厚度；以及/n通过穿过具有所述第二厚度的所述SiC半导体晶圆的所述一部分执行裂解操作来限定裂口，所述裂口沿着所述竖直方向对准并与所述切口对准并延伸到所述SiC半导体晶圆的所述外表面。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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