[发明专利]碳化硅半导体晶圆的切割

说明书

本发明涉及碳化硅半导体晶圆的切割。本发明公开了一种切割碳化硅(SiC)半导体晶圆的方法，所述方法可包括通过执行部分划切操作来在所述碳化硅(SiC)半导体晶圆内限定切口，其中所述SiC半导体晶圆沿着平面对准并且所述切口具有小于所述SiC半导体晶圆的第一厚度的深度。所述切口沿着与所述平面正交的竖直方向对准，以使得所述SiC半导体晶圆的一部分具有在所述切口的底部和所述SiC半导体晶圆的外表面之间延伸的第二厚度。所述方法还可包括通过穿过具有所述第二厚度的所述SiC半导体晶圆的所述部分来执行裂解操作来限定裂口。所述裂口可与所述切口对准并延伸到所述SiC半导体晶圆的所述外表面。

相关申请的交叉引用

本申请要求2018年5月9日提交的名称为“SINGULATION OF SILICON CARBIDESEMICONDUCTOR WAFERS(碳化硅半导体晶圆的切割)”的美国专利申请No.15/974,984的优先权和权益，该专利申请的公开内容全文以引用方式并入本文。

技术领域

本说明书涉及来自碳化硅(SiC)半导体晶圆的管芯的切割。

背景技术

切割是减少包括多个集成电路管芯的半导体晶圆以形成单独的半导体芯片的过程。例如，可使用具有金刚石尖齿的水冷锯来执行从硅晶圆切割半导体管芯。或者，可使用激光烧蚀工具来执行切割。

发明内容

在一个一般方面，切割碳化硅(SiC)半导体晶圆(wafer)的方法可包括通过执行部分划切操作来在碳化硅(SiC)半导体晶圆内限定切口，其中SiC半导体晶圆沿着平面对准并且切口具有小于SiC半导体晶圆的第一厚度的深度。切口沿着与平面正交的竖直方向对准，以使得SiC半导体晶圆的一部分具有在切口的底部和SiC半导体晶圆的外表面之间延伸的第二厚度。该方法还可包括通过穿过具有第二厚度的SiC半导体晶圆的部分来执行裂解(cleaving)操作以限定裂口(cleave)。裂口可与切口对准并延伸到SiC半导体晶圆的外表面。

在另一个一般方面，系统可包括晶圆卡盘，该晶圆卡盘被配置成接收减薄至第一厚度的SiC半导体晶圆，减薄的SiC半导体晶圆具有沿着平面对准的表面。系统还可包括划切装置，该划切装置被配置成在SiC半导体晶圆上执行部分划切操作，以在SiC半导体晶圆内限定切口，该切口具有小于SiC半导体晶圆的第一厚度的深度，该切口沿着与平面正交的竖直方向对准，以使得SiC半导体晶圆的一部分具有在切口的底部和SiC半导体晶圆的外表面之间延伸的第二厚度。系统还可包括裂解装置，该裂解装置被配置成沿着竖直方向穿过具有第二厚度的SiC半导体晶圆的部分执行裂解操作以限定裂口，该裂口与切口对准并延伸到SiC半导体晶圆的外表面。

在另一个一般方面，方法可包括将碳化硅(SiC)半导体晶圆减薄至某一厚度，减薄的SiC半导体晶圆具有沿着平面对准的表面。该方法还可包括在SiC半导体晶圆上执行部分划切操作，以穿过SiC半导体晶圆厚度的第一部分在SiC半导体晶圆中限定切口，该切口沿着与平面正交的竖直方向对准，以使得SiC半导体晶圆的一部分具有在切口的底部和SiC半导体晶圆的外表面之间延伸的第二厚度，该切口在平行于平面的方向上也具有第一宽度。该方法还可包括执行裂解操作以限定裂口，该裂口具有小于第一宽度的第二宽度，该裂口与竖直切口对准并穿过SiC半导体晶圆厚度的第二部分。

一个或多个实施方式的细节在随附附图和以下描述中阐明。其他特征将从说明书和附图中以及从权利要求书中显而易见。

附图说明

图1A是示出用于将碳化硅(SiC)半导体晶圆切割成管芯的示例性方法的示意图。

图1B和图1C是示出与图1A所示方法对应的SiC半导体晶圆的一部分的示意图。

图2A是示出在被减薄至目标厚度以用于切割之后的示例性SiC半导体晶圆的剖视图的示意图。

图2B是示出在背金属沉积之后SiC半导体晶圆的剖视图的示意图。