[发明专利]碳化硅半导体晶圆的切割

权利要求书

1.一种方法，包括：

通过对碳化硅SiC半导体晶圆的第一表面执行部分划切操作而在所述SiC半导体晶圆内限定切口，所述SiC半导体晶圆沿着平面对准，所述切口具有小于所述SiC半导体晶圆的第一厚度的深度，所述切口沿着与所述平面正交的竖直方向对准，以使得所述SiC半导体晶圆的一部分具有在所述切口的底部和所述SiC半导体晶圆的外表面之间延伸的第二厚度；以及

通过对所述SiC半导体晶圆的第二表面执行穿过所述SiC半导体晶圆的具有所述第二厚度的所述一部分的裂解操作来限定裂口，所述裂口沿着所述竖直方向对准并与所述切口对准并延伸到所述SiC半导体晶圆的所述外表面，所述第二表面与所述第一表面相反。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述切口的所述深度为所述第一厚度的65％和75％之间。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述切口在平行于所述平面的方向上具有第一宽度，并且所述裂口在平行于所述平面的所述方向上具有第二宽度，所述第一宽度大于所述第二宽度；

所述切口和所述裂口用于限定一组SiC管芯，所述一组SiC管芯中的每一个具有台阶，所述台阶在平行于所述平面的所述方向上具有基于所述第一宽度和所述第二宽度之间的差的宽度；并且

其中所述方法还包括：在执行所述裂解操作之前，对所述SiC半导体晶圆执行背金属沉积操作。

4.根据权利要求1所述的方法，其中执行所述裂解操作包括：

使用脉冲棒沿着所述切口向所述SiC半导体晶圆施加裂解力。

5.根据权利要求1所述的方法，其中执行所述部分划切操作包括：

通过激光烧蚀工具接收所述SiC半导体晶圆；以及

限定所述激光烧蚀工具的功率以使得所述激光烧蚀工具限定具有所述深度的所述切口。

6.根据权利要求1所述的方法，其中执行所述部分划切操作包括：

通过机械锯工具接收所述SiC半导体晶圆，所述机械锯工具包括锯片；以及

限定所述锯片的位置以限定具有所述深度的所述切口。

7.一种系统，包括：

晶圆卡盘，所述晶圆卡盘被配置成接收减薄至第一厚度的SiC半导体晶圆，所减薄的SiC半导体晶圆的表面沿着平面对准；

划切装置，所述划切装置被配置成对所述SiC半导体晶圆的第一表面执行部分划切操作，以在所述SiC半导体晶圆内限定切口，所述切口具有小于所述SiC半导体晶圆的所述第一厚度的深度，所述切口沿着与所述平面正交的竖直方向对准，所述切口被对准成使得所述SiC半导体晶圆的一部分具有在所述切口的底部和所述SiC半导体晶圆的外表面之间延伸的第二厚度；和

裂解装置，所述裂解装置被配置成沿着所述竖直方向对所述SiC半导体晶圆的第二表面执行穿过所述SiC半导体晶圆的具有所述第二厚度的所述一部分的裂解操作以限定裂口，所述裂口与所述切口对准并延伸到所述SiC半导体晶圆的所述外表面，所述第二表面与所述第一表面相反。

8.根据权利要求7所述的系统，还包括：

自动转移设备，所述自动转移设备具有末端执行器，所述末端执行器被配置成向被部分划切的SiC半导体晶圆施加转移力，以将所述部分划切的SiC半导体晶圆从所述划切装置转移到所述裂解装置，所述转移力基于所述深度。