[发明专利]互连结构、电路及包括该互连结构或电路的电子设备有效
| 申请号： | 201910369630.9 | 申请日： | 2019-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN110137134B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/8234;H01L23/538;H01L27/088 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了一种互连结构、电路及包括这种互连结构或电路的电子设备。根据实施例，一种用于在衬底上形成的多个半导体器件的互连结构可以设置在所述多个半导体器件之下。该互连结构可以包括：沿从半导体器件向着衬底的方向交替设置的至少一个过孔层和至少一个互连层，其中，每一过孔层包括分别设于所述多个半导体器件中至少一部分半导体器件下方的过孔，每一互连层包括分别设于所述多个半导体器件中至少一部分半导体器件下方的导电节点，其中，在同一互连层中，至少一个导电节点与至少另一个节点之间具有导电通道，各过孔层中的过孔与各互连层中的相应导电节点在从半导体器件向着衬底的方向上彼此至少部分地交迭。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 电路 包括 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种用于在衬底上形成的多个半导体器件的互连结构，所述互连结构设置在所述多个半导体器件之下，且包括：沿从半导体器件向着衬底的方向交替设置的至少一个过孔层和至少一个互连层，其中，每一过孔层包括分别设于所述多个半导体器件中至少一部分半导体器件下方的过孔，每一互连层包括分别设于所述多个半导体器件中至少一部分半导体器件下方的导电节点，其中，在同一互连层中，至少一个导电节点与至少另一个节点之间具有导电通道，各过孔层中的过孔与各互连层中的相应导电节点在从半导体器件向着衬底的方向上彼此至少部分地交迭。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
