[发明专利]互连结构、电路及包括该互连结构或电路的电子设备

权利要求书

1.一种用于在衬底上形成的多个半导体器件的互连结构，所述互连结构设置在所述多个半导体器件之下，且包括：

沿从半导体器件向着衬底的方向交替设置的至少一个过孔层和至少一个互连层，其中，

每一过孔层包括分别设于所述多个半导体器件中至少一部分半导体器件下方的过孔，

每一互连层包括分别设于所述多个半导体器件中至少一部分半导体器件下方的导电节点，其中，在同一互连层中，至少一个导电节点与至少另一个节点之间具有导电通道，

各过孔层中的过孔与各互连层中的相应导电节点在从半导体器件向着衬底的方向上彼此至少部分地交迭。

2.根据权利要求1所述的互连结构，其中，各过孔层中的过孔与各互连层中的相应导电节点在从半导体器件向着衬底的方向上彼此实质上对准。

3.根据权利要求1所述的互连结构，其中，所述多个半导体器件包括竖直半导体器件、平面半导体器件或者鳍式场效应晶体管中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的互连结构，其中，各过孔层中的至少一个过孔、各互连层中的相应导电节点与相应的半导体器件的源/漏区在从半导体器件向着衬底的方向上彼此实质上对准。

5.根据权利要求1所述的互连结构，其中，从半导体器件向着衬底的方向是实质上垂直于衬底表面的方向。

6.根据权利要求1所述的互连结构，其中，各过孔层中的过孔实质上共面，各互连层中的导电节点、导电通道实质上共面。

7.根据权利要求1所述的互连结构，其中，在每一过孔层中，在所述多个半导体器件之中的第一组源/漏区下方设置有过孔，在所述多个半导体器件之中的第二组源/漏区下方设置有绝缘部，各过孔层中的绝缘部与各互连层中的相应导电节点在从半导体器件向着衬底的方向上彼此至少部分地交迭。

8.根据权利要求7所述的互连结构，其中，各过孔层中的过孔与各互连层中的相应导电节点在从半导体器件向着衬底的方向上彼此实质上对准，且各过孔层中的绝缘部与各互连层中的相应导电节点在半导体器件向着衬底的方向上彼此实质上对准。

9.根据权利要求7所述的互连结构，其中，各过孔层中的过孔、各互连层中的相应导电节点与相应的半导体器件的源/漏区在从半导体器件向着衬底的方向上彼此实质上对准，且各过孔层中的绝缘部、各互连层中的相应导电节点与相应的半导体器件的源/漏区在从半导体器件向着衬底的方向上彼此实质上对准。

10.根据权利要求7所述的互连结构，其中，各过孔层中的过孔和绝缘部的布局与各互连层中的导电节点的布局实质上相同。

11.根据权利要求7所述的互连结构，其中，各过孔层中的过孔、绝缘部实质上共面，各互连层中的导电节点、导电通道实质上共面。

12.根据权利要求7所述的互连结构，其中，所述绝缘部与所述互连结构中的层间电介质层具有不同的绝缘材料。

13.根据权利要求7所述的互连结构，其中，所述过孔和所述绝缘部具有实质上相同的横向尺寸。

14.根据权利要求1所述的互连结构，其中，在每一互连层中，各导电节点具有设于相应半导体器件下方的主体部以及从主体部向着其相邻导电节点延伸的延伸部，其中每一对相邻的导电节点的彼此相向的延伸部实质上沿相同直线延伸，其中至少一对相邻的导电节点的彼此相向的延伸部延伸为彼此连接在一起从而构成所述导电通道的至少一部分。

15.根据权利要求14所述的互连结构，其中，所述延伸部细于所述主体部。