[发明专利]闪存部件和方法在审
| 申请号： | 201910361406.5 | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN110556381A | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | K.帕拉特;R.法斯托 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582;H01L21/764 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张凌苗;申屠伟进 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 闪存部件和方法。公开了闪存技术。在一个示例中，闪存部件可以包括彼此垂直间隔开并且由空隙分离的多个导电层，多个导电层中的每个形成字线。存储器部件还可以包括延伸通过多个导电层的垂直取向的导电沟道。另外，闪存部件可包括将多个导电层耦合到导电沟道的多个存储器单元。每个字线可以与多个存储器单元中的一个相关联。还公开了相关的设备、系统和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 导电层 闪存 存储器单元 导电沟道 字线 存储器部件 垂直间隔 垂直取向 导电层中 闪存技术 耦合到 关联 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种闪存部件，包括：/n多个导电层，彼此垂直地间隔开并且通过空隙分离，所述多个导电层中的每个形成字线；/n垂直取向的导电沟道，延伸通过多个导电层；和/n多个存储器单元，将多个导电层耦合到导电沟道，其中每个字线与多个存储器单元中的一个相关联。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910361406.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
