[发明专利]闪存部件和方法

权利要求书

1.一种闪存部件，包括：

多个导电层，彼此垂直地间隔开并且通过空隙分离，所述多个导电层中的每个形成字线；

垂直取向的导电沟道，延伸通过多个导电层；和

多个存储器单元，将多个导电层耦合到导电沟道，其中每个字线与多个存储器单元中的一个相关联。

2.根据权利要求1所述的闪存部件，其中空隙被填充有气体。

3.根据权利要求2所述的闪存部件，其中气体包括空气、氩、氮或其组合。

4.根据权利要求1所述的闪存部件，其中导电层彼此垂直地间隔开从约5 nm至约50 nm的距离。

5.根据权利要求1所述的闪存部件，其中导电层中的每个具有从约10 nm至约40 nm的厚度。

6.根据权利要求1所述的闪存部件，其中多个导电层包括多晶硅。

7.根据权利要求6所述的闪存部件，其中多个导电层中的至少一个在顶表面、底表面或两者上具有SiGe 残余物。

8.根据权利要求1所述的闪存部件，还包括垂直取向的支撑柱，其在阶梯区域中延伸通过多个导电层中的至少两个并与之机械地耦合。

9.根据权利要求8所述的闪存部件，其中支撑柱形成与源极线和漏极线中的一个或两个电隔离的非功能性存储器柱的至少一部分。

10.根据权利要求9所述的闪存部件，还包括：多个非功能性存储器单元，与非功能性存储器柱相邻并且将非功能性存储器柱机械地耦合到多个导电层中的至少两个。

11.根据权利要求1所述的闪存部件，还包括垂直取向的壁，其延伸通过多个导电层并与之机械地耦合。

12.根据权利要求11所述的闪存部件，其中垂直取向的壁包括电介质材料。

13.根据权利要求1所述的闪存部件，其中多个存储器单元中的每个包括电荷存储结构。

14.根据权利要求13所述的闪存部件，其中多个存储器单元中的每个还包括设置在字线和电荷存储结构之间的至少一个电介质层。

15.根据权利要求14所述的闪存部件，其中至少一个电介质层包括氮化物材料和氧化物材料或其组合。

16.根据权利要求13所述的闪存部件，还包括设置在电荷存储结构和导电沟道之间的隧道电介质层。

17.根据权利要求13所述的闪存部件，其中电荷存储结构是浮栅或电荷陷阱。

18.根据权利要求1所述的闪存部件，其中导电沟道包括多晶硅、Ge、SiGe 或其组合。

19.一种用于制造闪存部件的方法，包括：

形成第一材料和第二材料的交替层，使得第一材料的第一多个层彼此垂直地间隔开并由第二材料的第二多个层分离，其中第一和第二材料具有相似的蚀刻性质；

形成延伸通过第一多个层和第二多个层的垂直取向的开口；和

形成与第一多个层中的每个相关联的存储器单元。

20.根据权利要求19所述的方法，其中形成第一材料和第二材料的交替层包括沉积过程。

21.根据权利要求19所述的方法，其中第一和第二材料是导电的。