[发明专利]闪存部件和方法

说明书

闪存部件和方法。公开了闪存技术。在一个示例中，闪存部件可以包括彼此垂直间隔开并且由空隙分离的多个导电层，多个导电层中的每个形成字线。存储器部件还可以包括延伸通过多个导电层的垂直取向的导电沟道。另外，闪存部件可包括将多个导电层耦合到导电沟道的多个存储器单元。每个字线可以与多个存储器单元中的一个相关联。还公开了相关的设备、系统和方法。

技术领域

本文描述的实施例一般地涉及计算机存储器，并且更特别地涉及闪存设备。

背景技术

闪存是一种计算机存储器，其利用诸如金属氧化物半导体场效应晶体管之类的浮栅晶体管作为存储信息的存储器单元。商业闪存之中的原理是NAND和NOR存储器类型。在NAND存储器中，以阵列布置单元，使得行中的每个存储器单元的控制栅极连接以形成存取线（access line），诸如字线。阵列的列包括在源极选择线和漏极选择线的选择线的对之间、源极到漏极串联连接在一起的存储器单元的串（通常称为NAND串）。源极选择线包括NAND串和源极选择线之间的每个交叉处的源极选择栅极（source select gate），并且漏极选择线包括NAND串和漏极选择线之间的每个交叉处的漏极选择栅极（drain selectgate）。每个源极选择栅极被连接到源极线，而每个漏极选择栅极被连接到数据线，例如列位线。

附图说明

根据下面结合附图的详细描述，技术特征和优点将变得清楚，附图通过示例的方式一起示出了各种技术实施例；并且，其中：

图1示出根据示例实施例的闪存部件的一部分；

图2示出图1的闪存部件的导电沟道和存储器单元的一部分的详细视图；

图3示出根据示例实施例的闪存部件的总体布局（general layout）；

图4示出图3的闪存部件的存储器块的总体布局；

图5A-5G 示出根据示例实施例的用于制造闪存部件的方法；

图6A-6G 示出根据另一示例实施例的用于制造闪存部件的方法；

图7是示例性固态器件的示意图；和

图8是示例性计算系统的示意图。

现在将参考所示的示例性实施例，并且本文将使用特定语言来描述它们。然而，应当理解，在此没有限制本公开的范围或限制到特定技术实施例的意图。

具体实施方式

在公开和描述技术实施例之前，应当理解，不旨在限制到本文公开的特定结构、工艺步骤或材料，而是还要包括相关领域的普通技术人员将认识到的其等同物。还应该理解，本文采用的术语仅用于描述特定示例的目的并且不旨在进行限制。不同附图中的相同附图标记表示相同元素。在流程图和过程中提供的数字是为了说明步骤和操作中的清楚性提供的，并不一定指示特定的顺序或序列。除非另有定义，否则本文使用的所有技术和科学术语具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。

如在该撰写的描述中使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”包括对复数个指示对象的明确支持，除非上下文另有明确规定。因此，例如，对“层”的提及包括多个这样的层。