[发明专利]TFT阵列基板及OLED显示面板在审

专利信息
申请号: 201910351231.X 申请日: 2019-04-28
公开(公告)号: CN109994536A 公开(公告)日: 2019-07-09
发明(设计)人: 余赟 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/52
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人: 林才桂;鞠骁
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种TFT阵列基板及OLED显示面板。本发明的TFT阵列基板包括衬底、TFT层、平坦化层及阳极层,衬底包括摄像头区,阳极层包括位于摄像头区内的第一阳极,该第一阳极包括依次设置的第一底透明电极层、第一金属电极层及第一顶透明电极层,第一金属电极层具有呈网格状结构的第一部分,该第一部分具有多个镂空孔,所述第一顶透明电极层填充多个镂空孔,从而大大提升了第一阳极的穿透率,并且降低了第一阳极的电阻值,有效地提升了产品的品质。
搜索关键词: 阳极 透明电极层 金属电极层 摄像头 阳极层 镂空孔 衬底 网格状结构 平坦化层 依次设置 穿透率 有效地 电阻 填充
【主权项】:
1.一种TFT阵列基板,其特征在于,包括衬底(10)、设于衬底(10)上的TFT层(20)、设于TFT层(20)上的平坦化层(30)及设于平坦化层(30)上的阳极层(40);所述衬底(10)包括摄像头区(11);所述阳极层(40)包括位于摄像头区(11)内的第一阳极(41);所述第一阳极(41)包括设于平坦化层(30)上的第一底透明电极层(411)、设于第一底透明电极层(411)上的第一金属电极层(412)以及设于第一金属电极层(412)及第一底透明电极层(411)上的第一顶透明电极层(413);所述第一金属电极层(412)包括呈网格状结构的第一部分(A),该第一部分(A)具有多个镂空孔(V),所述第一顶透明电极层(413)填充多个镂空孔(V)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910351231.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top