[发明专利]TFT阵列基板及OLED显示面板在审
申请号: | 201910351231.X | 申请日: | 2019-04-28 |
公开(公告)号: | CN109994536A | 公开(公告)日: | 2019-07-09 |
发明(设计)人: | 余赟 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂;鞠骁 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种TFT阵列基板及OLED显示面板。本发明的TFT阵列基板包括衬底、TFT层、平坦化层及阳极层,衬底包括摄像头区,阳极层包括位于摄像头区内的第一阳极,该第一阳极包括依次设置的第一底透明电极层、第一金属电极层及第一顶透明电极层,第一金属电极层具有呈网格状结构的第一部分,该第一部分具有多个镂空孔,所述第一顶透明电极层填充多个镂空孔,从而大大提升了第一阳极的穿透率,并且降低了第一阳极的电阻值,有效地提升了产品的品质。 | ||
搜索关键词: | 阳极 透明电极层 金属电极层 摄像头 阳极层 镂空孔 衬底 网格状结构 平坦化层 依次设置 穿透率 有效地 电阻 填充 | ||
【主权项】:
1.一种TFT阵列基板,其特征在于,包括衬底(10)、设于衬底(10)上的TFT层(20)、设于TFT层(20)上的平坦化层(30)及设于平坦化层(30)上的阳极层(40);所述衬底(10)包括摄像头区(11);所述阳极层(40)包括位于摄像头区(11)内的第一阳极(41);所述第一阳极(41)包括设于平坦化层(30)上的第一底透明电极层(411)、设于第一底透明电极层(411)上的第一金属电极层(412)以及设于第一金属电极层(412)及第一底透明电极层(411)上的第一顶透明电极层(413);所述第一金属电极层(412)包括呈网格状结构的第一部分(A),该第一部分(A)具有多个镂空孔(V),所述第一顶透明电极层(413)填充多个镂空孔(V)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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