[发明专利]TFT阵列基板及OLED显示面板

权利要求书

1.一种TFT阵列基板，其特征在于，包括衬底(10)、设于衬底(10)上的TFT层(20)、设于TFT层(20)上的平坦化层(30)及设于平坦化层(30)上的阳极层(40)；

所述衬底(10)包括摄像头区(11)；所述阳极层(40)包括位于摄像头区(11)内的第一阳极(41)；所述第一阳极(41)包括设于平坦化层(30)上的第一底透明电极层(411)、设于第一底透明电极层(411)上的第一金属电极层(412)以及设于第一金属电极层(412)及第一底透明电极层(411)上的第一顶透明电极层(413)；所述第一金属电极层(412)包括呈网格状结构的第一部分(A)，该第一部分(A)具有多个镂空孔(V)，所述第一顶透明电极层(413)填充多个镂空孔(V)。

2.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一顶透明电极层(413)的厚度均匀。

3.如权利要求2所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一顶透明电极层(413)的厚度为15～60nm；所述第一金属电极层(412)的厚度为30～80nm；所述第一底透明电极层(411)的厚度为5～10nm。

4.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一顶透明电极层(413)位于第一金属电极层(412)上的部分的厚度小于第一顶透明电极层(413)位于第一底透明电极层(411)上的部分的厚度。

5.如权利要求4所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一顶透明电极层(413)位于第一金属电极层(412)上的部分的厚度为7～15nm，第一顶透明电极层(413)位于第一底透明电极层(411)上的部分的厚度为15～60nm。

6.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一底透明电极层(411)的材料为氧化铟锡，所述第一金属电极层(412)的材料为银，所述第一顶透明电极层(413)的材料为氧化铟锡。

7.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述衬底(10)还包括与摄像头区(11)相邻的有效显示区(12)；所述阳极层(40)还包括位于有效显示区(12)内的第二阳极(42)；

所述第二阳极(42)包括设于平坦化层(30)上的第二底透明电极层(421)、设于第二底透明电极层(421)上的第二金属电极层(422)及设于第二金属电极层(422)上的第二顶透明电极层(423)；所述第二金属电极层(422)为整面结构。

8.如权利要求7所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第二顶透明电极层(423)的厚度为15～60nm；所述第二金属电极层(422)的厚度为30～80nm；所述第二底透明电极层(421)的厚度为5～10nm；

所述第二底透明电极层(421)的材料为氧化铟锡，所述第二金属电极层(422)的材料为银，所述第二顶透明电极层(423)的材料为氧化铟锡。

9.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一部分(A)的网格线宽为2～8μm。

10.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，还包括设于平坦化层(30)及阳极层(40)上的像素定义层(50)；所述像素定义层(50)设有对应位于第一部分(A)上方的第一开口(51)。

11.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一部分(A)的镂空率为50％～70％。

12.一种OLED显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-11中任一项所述的TFT阵列基板。